PN结向电压温度特性研究.docVIP

PN结正向温度特性的研究 武汉大学 物理科学与技术学院 物理学基地1班 学号：2011301020019 摘要： 测绘PN结正向电压随温度变化曲线，并得到结正向电压随温度变化的基本关系式，并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度 关键词：PN结 温度特性 Research on Temperature Characteristics towards the Forward Voltage of PN Junction Tu Xiaoyu Wuhan University Physical science and technology academy Basic physicsclass 2011301020019 Abstract: Curve of PN junction forward voltage with temperature were mapped,the basic relationship of PN junction’s forward voltage towards to temperature changes were obtained,And thus confirmed the measurement sensitivity of its,And the band gap width of PN junction material Key words: PN junction；Temperature characteristics 0 引言 早在20世纪60年代初，人们就试图利用PN结的正向电压随温度升高而降低的特性来制作测温元件。现在PN结以及在此基础上发展起来的晶体管温度传感器、集成电路温度传感器已广泛应用于各个领域。PN结温度传感器具有灵敏度高、线性好、热响应快和小巧的特点，尤其是在温度数字化、温度控制以及用微机进行温度实时信号处理等方面，是其他测温仪器所不能与之媲美的。PN结温度传感器缺点是测温范围小，以硅为材料的温度传感器，在非线性误差不超过0.5%的情况下，测量范围在-50~150℃。如果采用非其他材料，例如锑化铟画着砷化镓，可以展宽传感器低温区或高温区的测温范围。 1 理论分析 理想PN结的正向电流IF和压降VF存在如下近似关系 （1） 其中q为电子电荷；k为波尔兹曼常数；T为绝对温度；Is为反向饱和电流，它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数，可以证明 （2） 其中C是与结面积、掺质浓度等有关的常数：r也是常数；Vg(0)为绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。 将（2）式代入（1）式，两边取对数可得 （3） 其中 这就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是PN结温度传感器的基本方程。令IF=常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（3）中，除线性项V1外还包含非线性项Vn1项所引起的线性误差。 设温度由T1变为T时，正向电压由VF1变为VF，由（3）式可得 （4） 按理想的线性温度影响，VF应取如下形式： （5） 等于T1温度时的值。 由（3）式可得 （6） 所以 （7） 由理想线性温度响应（7）式和实际响应（4）式相比较，可得实际响应对线性的理论偏差为 （8） 设T1=300°k，T=310°k，取r=3.4*,由（8）式可得?=0.048mV，而相应的VF的改变量约20mV，相比之下误差甚小。不过当温度变化范围增大时，VF温度响应的非线性误差将有所递增，这主要由于r因子所致。 综上所述，在恒流供电条件下，PN结的VF对T的依赖关系取决于线性项V1，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的依据。必须指出，上述结论仅适用于杂质全部电离、本征激发可以忽略的温度区间(对于通常的硅二极管来说，温度范围约-50℃—150℃)。如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小或本征载流子迅速增加；VF—T关系将产生新的非线性，这一现象说明VF—T的特性还随PN结的材料而异，对于宽带材料（如GaAs）的PN结，其高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能小（如Insb）的PN结，则低温端的线性范围宽，对于给定的PN结，即使在杂质导电和非本