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单／多晶PERC太阳电池的光衰减解决方案 杭州晶宝新能源科技有限公司 陈鹏 1 提纲 2 氢诱使四元环结构变为开环结构 3 1. 1单晶硅抗光衰的机理 BO复合体原子结构 1. 2多晶PERC电池光衰减的机理研究 热激活动力学过程：双机制反应 4 5 光衰减由BO机制所致只占1/3；未知机制占2/3 多晶PERC抗光衰减机制：可能同样基于氢钝化原理 6 7 1. 3未知光衰机制X的分析 *A. A. Istratov , et al. Applied Physics, 1999,69, 13 **A. Chowdhuri, et al. Applied Physics Letters, 2002, 80, 4241. 8 1. 3 未知光衰机制X的分析 PERC多晶抗光衰机制 氢对过渡金属离子的钝化 1.4 如何引入高浓度的H－和H0？ 9 电注入法抗光衰减技术 10 电流诱导氢钝化体缺陷 Current-Induced Hydrogenation （CIH） 常规单晶经抗LID处理后，光衰减率＜1% 11 分组 处理条件 1 2 3 4 Eta drop% Ave. 硅片厂商1 未处理 1.651% 1.809% 1.791% 1.732% 1.746% 晶宝抗LID处理+24kwh光衰 0.475% 0.926% 0.639% 0.771% 0.603% 硅片厂商2 未处理 1.736% 1.941% 1.819% 1.950% 1.862% 晶宝抗LID处理+24kwh光衰 0.318% 0.451% 0.470% 0.141% 0.345% Note: LID rate=(original Eta – Eta after LID)/ original Eta 2.1常规单晶电池 12 PERC单晶抗LID实验 　 　 Eta drop % GROUP · 21.0% reference 2.98% 晶宝抗LID处理 0.34% GROUP · 21.5% reference 3.79% 晶宝抗LID处理 0.42% GROUP · 21.8% reference 4.31% 晶宝抗LID处理 0.43% PERC单晶抗LID实验 　 Eta after treatment Eta after LID Eta drop Eta drop rel. 晶宝抗LID处理 20.53 20.37 0.16 0.78% 20.63 20.48 0.15 0.73% 光热处理 19.87 19.46 0.41 2.06% 19.87 19.53 0.34 1.71% PERC单晶经抗LID处理后，光衰减率＜1.0% 2.2 PERC单晶电池 13 PERC多晶经抗LID处理后，光衰减率＜1.0% 2.3 PERC多晶电池 LID rate 1= （光衰后效率-初始效率）／初始效率； LID rate 2= （光衰后效率-处理后效率）／处理后效率 光照条件30KWH 　 初始效率 平均值 处理后效率 平均值 光照后效率 平均值 LID rate1 LID rate 2 参考组 19.61 19.68 　 　 18.34 18.60 5.50% 　 19.54 18.35 19.50 18.05 19.74 19.17 19.89 19.16 19.54 18.87 19.71 18.35 19.72 18.30 19.72 18.74 19.85 18.66 晶宝 抗LID处理 19.79 19.69 20.11 20.00 19.83 19.67 0.10% 1.63% 19.60 19.95 19.59 19.86 20.19 19.77 19.58 19.85 19.57 19.57 19.85 19.44 19.45 19.71 19.51 19.74 20.07 19.73 19.68 20.00 19.61 19.80 20.10 19.81 19.86 20.17 19.86 PERC多晶抗LID实验 杭州晶宝新能源科技有限公司作为一家创新型初创企业，基于电注入再激活技术，开发出VIGOR型晶硅太阳电池抗光衰减设备。 14 15 专利权号 201410795851.x 201520216840.1 201510170339.0 传统单晶 ＜1%；PERC单晶＜1%； 普通多晶＜1%；PERC多晶光衰抑制率70%以上 设计产能约2400 和 3600 pcs／小时 碎片率＜0.5‰； uptime 98% 抗光衰减效果优异 产能匹配 设备可靠性高 16 17 优势一 同一机台可以处理传统单晶、PERC单晶、传统多晶和PERC多晶电池 适用范围广；处理效果优异 18 电池衰减