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光电子技术复习专题二 第三章 如何正确理解光电二极管的全电流方程？ 光电二极管的噪声 噪声 热敏电阻 5.2.1 热敏电阻 2. 热敏电阻的原理、结构及材料 热敏电阻的参数 （2）热敏电阻阻值变化量 热释电效应的原理 5.3.1 热释电器件的基本工作原理 液晶显示器（LCD） 液晶：一些有机化合物既具有液态的流动性，又具有晶体的各向异性。 氧化铅视像管结构与工作原理 CMOS图像传感器的特色 ⒈是单芯片成像系统。 ⒉这种片上摄像机用标准逻辑电源电压工作，仅消耗几十毫瓦功率，功耗极低。 ⒊可实现随机读取图像信息。 CMOS摄像器件 采用CMOS技术可以将光电摄像器件阵列、驱动和控制电路、信号处理电路、模／数转换器、全数字接口电路等完全集成在一起，可以实现单芯片成像系统 ——Camera-On-A-Chip 1 CMOS像素结构 无源像素型（PPS） 有源像素型（APS） MOS 摄像器件的工作原理： 光栅型有源像素结构（PG－APS） 外界光照射像素阵列，产生信号电荷，行选通逻辑单元根据需要，选通相应的行像素单元，行像素内的信号电荷通过各自所在列的信号总线传输到对应的模拟信号处理器(ASP)及A/D变换器，转换成相应的数字图像信号输出。行选通单元可以对像素阵列逐行扫描，也可以隔行扫描。隔行扫描可以提高图像的场频，但会降低图像的清晰度。行选通逻辑单元和列选通逻辑单元配合，可以实现图像的窗口提取功能，读出感兴趣窗口内像元的图像信息 CMOS摄像器件的结构： APS(Active Pixel Structure )： 由1990s中期NASA引入CMOS 图像传感器，解决了噪声问题。 像素尺寸减小后低光照下灵敏 度迅速降低，采用微透镜和滤色 片组合以及CMOS工艺的优势， 前景好于CCD。 CMOS与CCD器件的比较 CCD摄像器件 灵敏度高、噪声低、像素面积小 难与驱动电路及信号处理电路单片集成，需要使用相对高的工作电压，制造成本比较高 管子结构 氧化铅PIN靶 PIN光电靶 ：反向偏置，扫描面形成正电位图像 电子枪 ： 发射电子束，按电视制式扫描正电 位图像，输出视频信号 像素：组成图像的最小单元。摄像管像素大小由电子束截面积决定。 在电子束扫描某一像素的瞬间，该像素与电源正极和阴极结成通路。这个像素的光电流由P→N，流过负载RL,产生负极性图像信号输出。同时，扫描电子束使P层电位降至阴极电位（图像擦除）。 电荷耦合器件 CCD图像传感器主要特点： 固体化摄像器件 很高的空间分辨率 很高的光电灵敏度和大的动态范围 光敏元间距位置精确,可获得很高的 定位和测量精度 信号与微机接口容易 CCD(Charge Coupled Devices) 电荷耦合摄像器件 电荷耦合器件（CCD）特点——以电荷作为信号。 CCD的基本功能——电荷存储和电荷转移。 CCD工作过程——信号电荷的产生、存储、传输和检测的过程。 （1）、 CCD的基本结构包括：转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。构成CCD的基本单元是MOS电容。 电荷耦合器件的基本原理 一系列彼此非常接近的MOS电容用同一半导体衬底制成，衬底可以是P型或N型材料，上面生长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘而且距离极小的金属化电极（栅极）。 CCD图像传感器的不足： ⒈驱动电路与信号处理电路难与CCD单片集 成，图像系统为多芯片系统； ⒉电荷耦合方式对转移效率要求近乎苛刻； ⒊时钟脉冲复杂，需要相对高的工作电压； ⒋图像信息不能随机读取。 采用标准 CMOS工艺的固体摄像器件 CMOS图像传感器 CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor） 一.CMOS图像传感器结构 总体结构框图 像元结构 ： 无源像素(PPS)结构 有源像素(APS)结构 PPS的致命弱点是读出噪声大,主要是固定图形噪声，一般有250个均方根电子。 光电二极管型(PD-APS）： 读出噪声典型值为(75～100)个均方根电子。适用于大多数中低性能成像。 ｛ 光栅型（PG-APS）：读出噪声小，目前已达到5个均方根电子。用于高性能科学成像和低光照成像。 二.CMOS摄像机的应用 由于CMOS摄像机节能、高度集成、成本低等独特优点，使CMOS摄像机具有很多应用领域: 移动通信:与手机集成,成为移动可视电话； 视频通信:视频聊天、可视电话、视频会