一种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计.pdfVIP

第27卷 第2期 贵州大学学报 (自然科学版) V01．27No．2 2010年 4月 JoumalofGuizhouUniversity(NaturalSciences) Apr．2010 文章编号 1000—5269(2010)02—0059一O3 一 种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计 牛宗超，杨发顺，吴宗桂，丁 召，张正平 (贵州大学理学院微纳电子与软件技术重点实验室，贵州贵阳550025) 摘 要：利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器，将电源噪声引入运放反馈，得到了一种高 电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明， 在3V电源电压下，在 一40—85℃范围内，温度系数低于1．976ppm／oC；在27℃下，1KHz时，电 源抑制比达88dB． 关键词：带隙基准源；温度系数；电源抑制；电压减法器；运放反馈 中图分类号：TN402 文献标识码 ：A 除了基准电压精度、温度系数、功耗等指标外， 源核心电路和运算放大器两个部分。 增强电源噪声抑制能力已成为带隙基准源性能水 平的一个重要研究方向，因此带隙基准源的PSNA ’R7 OpAmp Vdd9 } I V 频率特性分析已经 日益受到重视。本文在分析带 隙基准源PSNA频域模型的基础上，给出简化的频 域模型，设计了一种性能良好的高电源抑制比低温 ：R13- -O-墨-DI(；)审I；乏Rs 度系数带隙基准源，已应用在OLED电路中。最后 根据本模型提出了改善PSNA的具体方法。 针对与频域特性相关的带隙基准源的电源噪 图 1 传统的电压基准源的小信号模型 声衰减PSNA，人们提出过许多新的电路结构。有 在此模型中，二级管方式连接的晶体管阻抗 文献 ¨I2中报导的带隙电路采用浮动基准技术，对 小，Q1和Q2可以被看作交流短路，电阻 ：作为运 核心电路和运放的电源电压进行了调节，在核电路 放负载，串联电阻R和 ，作为运放的反馈。运放 中产生一个局部的电源电压VDDL．该结构虽能提 的小信号模型包括输出电阻 。。和两个电压控制 高电源抑制比，但电路过于复杂；G．Giustolisi等的 电流源(VCCS)，。和 ， 分别 由运放差分电压 研究l3中通过增加运放的开环增益抑制 电源噪 和电源电压 控制。电流源 ，。反映运放的差 声，但运放增益过高会降低电路稳定性；有研究 J 分输人直流增益，， 反映电源直流增益。整个系 使用一个内部电压稳压器，使用两级运放使带隙基 统可以被看作由图2所示的输人噪声直接闭环反 准核心电路的两个支路节点电压最大程度地相等， 馈放大器。 但该电路的电源最低电压要高于2．5V，这会消耗 由图2所示，PSNA可以估算如下：令输入 电 低电压裕度，增加功耗。本文提出的电路结构电路 L ， 、 压Vm．=0，则PSNA(s) 丁 ·乘积项 简单，可满足高电源抑制能力，并且电源电压可低 至 1．33V． (s)是 电路的闭环增益，常表示为 (s)，而 1 电源电压噪声抑制分析 h(s)项为环路断开时输出与电源间的传递函数。 这说明可以断开环路，由 (s)和h(s)估算PSNA 图1为典型的带隙基准