半导体胶体量子点之未来应用－.PDFVIP

奈米專欄 Nano Topic 半導體膠體量子點之未來應用－ 電激發光元件 ■陳學仕 一、前言 年MIT 之M.G.awendi教授與其工作團隊在美 國 化 學 協 會 期 刊 (Journal of American 奈米材料尺度介於巨觀塊材與微觀原子 Chemical Society)發表高溫非水相聚合之硒 之間，一方面具有塊材性質，另一方面又有 化鎘膠體量子點，此法所生成之硒化鎘奈米 類似原子特性。奈米材料之物理及化學性 晶體具有良好結晶度、尺寸分布均勻、光電 質，與傳統材料有明顯差異，在半導體光學 性質佳；最重要的是，原來發光波長在紅外 元件、奈米檢測器及生醫材料之應用極具潛 光範圍的之硒化鎘塊材，其光激發光波長藍 力(1~3) ，可應用產品如圖一所示。 移至可見光，且發光波長可由尺寸調整，此 一發展造就了量子點之研究熱潮。圖二為工 二、量子點理論背景 研院所合成量子點之穿透式電子顯微鏡照 片。 量子點晶體僅有數奈米，故其載子 文獻所載，理論上量子點之發光效率可 (Carrier) 受 到 量 子 侷 限 效 應 (Quantum 接近 100% ，然而，因量子點僅數奈米，晶 Confinement Effect) ，傳輸性質受到影響， 體表面曲率甚大且有懸擺鍵的存在，使得發 使得能帶結構產生變化，因此量子點之發光 光效率降低。在 1996~1998 年間 P. Guyot- 性質與塊材相異，較著名的材料如矽，為間 Sionnest 、M.G.Bawedi 及 A.P.Alivisatos 教 接 能 隙 半 導 體 (Indirect bandgap 授分別發表了在硒化鎘膠體量子點外，成長 semiconductor) ，因受到量子侷限效應的影 高能隙殼層材料如硫化鋅的論文，其研究發 響，量子點之能帶結構近似直接能隙半導體 現在硒化鎘膠體量子點外包覆高能隙之殼 (Direct bandgap semiconductor) ，在可見光 層，可大幅提升其發光效率，係因高能隙之 範圍具有發光行為。 外殼層可有效侷限晶體內之載子，並可移除 利用膠體化學法在高溫非水相溶液中， 晶體表面不發光之缺陷，故此種核/殼量子點 所合成之II-VI 族化合物半導體量子點，如 (Core/shell quantum dots)之發光效率可接近 Cd X( X = S , Se ,T e) 及Z n X( X= S ,S e,Te ) 量子 100%(圖三) ，圖四為M.G.Bawedi 教授發表 點，說明了量子侷限效應最佳的例子。1993 之核/殼量子點穿