材料科学与工程基础杨庆祥第三章材料的物理性能.pptVIP

材料的电行为是由杂质决定的，存在微量的杂质，将导致过多的电子和空穴。 以天然半导体硅为例，来说明半导体中杂质是如何传输的。一个Si原子外层有4个电子，其中每一个与邻近周围四个Si原子中的一个电子以共价键相连。现在，假定加入一个化合价为5的杂原子为杂质，这个原子可能是周期表中第VA族的元素（如P，As，Sb）。在这些杂原子中，5个价电子中只有四个电子能够参与成键，这是因为在周围的原子仅有四个可能的化学键。而剩下的一个非成键电子则通过静电吸引以极弱的力结合在杂质原子周围的区域，这个电子的结合能是相对较小的（0.01 eV）。因此，这个电子很容易从杂质原子上离开，从而变成一个自由或导电的电子。这种类型的材料就称为n型杂质半导体。由于电子的密度或浓度较高，它们成为多数载流子；另一方面，空穴则是少数载流子。 在四价硅（Si）或锗（Ge）中，添加位于第三主族元素如铝（Al），硼（B）和镓（Ga）杂质后，产生了与n型相反的作用。在每个原子的周围，其中一个共价键是不饱和的，这样的缺陷可被视为一个弱键键合到其它杂原子上的空穴。这个空穴可以从杂原子上释放，其过程是通过从邻近化学键上电子的转移实现，电子和空穴交换位置。这种空穴的数目多于电子（或p＞＞n）的材料就称为p型杂质半导体，这是因为带正电荷的微粒（空穴）主要负责电子传导。当然，空穴是主要的载流子，电子只是少量的出现。） 杂质型半导体（包括n型和p