GaN材料简介.doc

GaN材料简介 1 GaN材料的发展 1 2 GaN材料的基本性质 2 ① GaN材料的结构 2 ② GaN材料的电学性质 3 ③ GaN材料的光学性质 3 3 GaN材料的生长 4 4 GaN材料研究目的及意义 4 1 GaN材料的发展 在半导体产业的发展中，一般将Si、Gel代电子材料；而将GaAs、InP、GaP、InAs、AIAs2代电子材料；宽禁带(Eg2.3eV)半导体材料近年来发展十分迅速，成为第3代电子材料，主要包括SiC、ZnSe、金刚石和GaN等[1]。GaN材料是直接宽带隙半导体材料，因其带隙宽度(Eg=3.4eV)、发光效率高、电子漂移饱和速度高、热导率高、硬度大、介电常数小、化学性质稳定以及抗辐射、耐高温等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器和紫外探测器等光电子器件以及抗辐射、高频、高温、高压等电子器件领域有着巨大的应用潜力和广阔的市场前景，引起人们的极大兴趣和广泛关注。90年代以后，由于一些关键技术获得突破以及材料生长和器件工艺水平的不断提高，使GaN薄膜研究空前活跃，GaN基器件发展十分迅速，GaN已成为宽带隙半导体材料中一颗璀璨的明珠，被认为是最有前途的半导体激光器材料。 GaN半导体材料的商业应用研究开始于1970年，其在高频和高温条件下能够激发蓝光的独特性质从一开始就吸引了半导体开发人员的极大兴趣。但是GaN的生长技术和器件制造工艺直到近几年才取得了商业应用的实质性进步和突破，1992年被誉为GaN产业应用鼻祖的Nakamura教授制造了第一支GaN发光二极管，于1993年11月展示了发光强度为1坎德拉的GaN蓝光二极管，并于同月宣布具有一个激活区域的InGaN/AlGaAs双异质结构蓝光二极管开始商业化，这标志着III-N族化合物的发展实现了革命性的转变。1999年日本Nichia公司制造了第一支GaN蓝光激光二极管，该激光器的稳定性能相当于商用红光激光器。从1999年初到现在，GaN基半导体材料在薄膜和单晶生长技术、光电器件方面都有了重大技术突破。由于GaN半导体器件在光显示、光存储、激光打印、光照明以及医疗和军事等领域有着广阔的应用前景，GaN器件的广泛应用将预示着光电信息乃至光子信息时代的来临[2]。 2 GaN材料的基本性质 ① GaN材料的结构 GaN独特的性质使得这种材料具有广泛的应用价值，而材料的特性又是由成键状态和几何结构决定的。III氮族化合物主要有三种晶体结构：纤锌矿结构（六方相，α相）和闪锌矿结构（立方相，β相）和岩盐结构（NaCl型复式正方结构），如图1所示。 图1 纤锌矿、闪锌矿及岩盐结构晶体结构示意图 一般来说，在单晶GaN薄膜中通常只观察到两种结构，即纤锌矿结构和闪锌矿结构，在极端高压下才能出现岩盐矿结构。纤锌矿结构GaN的晶格常数为：a=0.3189nm，c=0.5185nm；闪锌矿结构GaN的晶格常数为：a=0.438～0.498nm。GaN体材料的密度是6.1g/cm3，是稳定、坚硬的高熔点材料,熔点温度约为1700℃，具有Ⅲ-V族化合物中最高的电离度(0.5或0.43)。 图2 纤锌矿型和闪锌矿型晶体结构的堆垛方式 GaN基二元材料六方相是热力学稳态结构，立方相只是压稳态结构，如图2所示，纤锌矿结构是由两套六方密堆积结构沿c轴方向平移5c/8套构而成，闪锌矿结构则由两套面心立方堆积结构沿对角线方向平移1/4对角线长度套构而成。这两种结构基本类似，每个III(V)族原子都与最近临的4个V(III)族原子成键，区别在于堆垛顺序。六方相结构沿c轴0001方向的堆垛顺序为ABABAB……，而立方相结构沿111方向的堆垛顺序为ABCABC……。两者最近邻原子相同，只是次近邻原子不同。 ② GaN材料的电学性质 常用半导体材料的电学参数 表1 GaN材料的电学特性是影响GaN器件性能的非常重要的因素之一。非故意掺杂的GaN材料通常都是n型的，电子密度通常为10 x 17cm-3左右。目前报道的质量最好的非掺杂的GaN材料的电子密度为n=3 x 1016cm-3，电子迁移率为900cm2/Vs，但是与砷化镓材料比起来，电子密度还是非常的高的(GaAs的为1.8 x 106cm-3)，各种材料的电学参数如表1所示。 ③ GaN材料的光学性质 GaN及其相关III族氮化物材料通过调整合金组分，可以获得从1.89eV(InN)到6.2eV(AlN)连续可调的能带隙，根据带隙与他们的光致发光频谱的关系，它们的发光频谱范围为200nm～650nm，因此III族氮化物发光波长能覆盖从紫外光到可见光这样一个很宽范围的频谱，这是他们称为制备短波长蓝光发光器件倍受关注的材料原因之一。 由于GaN在蓝光和紫光发射器件上的重要应用，人们特别关注它的