半导体器件物理第一章2012226.ppt

第 2-3 章 ? 半导体材料的晶格结构 ? 电子和空穴的概念 ? 半导体的电性能和导电机理 ? 载流子的漂移运动和扩散运动 ? 非平衡载流子的产生和复合 练习 试画出硅、锗和砷化镓在常温下的能带图。 思考 既然半导体电子和空穴都能导电，而导体只有电子导电，为什么半导体的导电能力比导体差？ 注意三个“准” 准连续 准粒子 准自由 练习 整理空带、满带、半满带、价带、导带、禁带、导带底、价带顶、禁带宽度的概念。 简述空穴的概念。 半导体中的缺陷和缺陷能级 当半导体中的某些区域，晶格中的原子周期性排列被破坏时就形成了各种缺陷。 缺陷分为三类： ①点缺陷：如空位，间隙原子，替位原子； ②线缺陷：如位错； ③面缺陷：如层错等。 练习 写出常见缺陷的种类并举例。 试述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系。 位错对半导体材料和器件有什么影响？ 练习 P30 9 写出欧姆定律的一般形式和微分形式。 电子和空穴的漂移方向如何判断？扩散运动又如何？ 为什么说平衡态下电场的方向必须是反抗扩散电流？ 影响非平衡载流子寿命的因素 材料的种类 杂质的含量（特别是深能级杂质） 表面状态 缺陷的密度 外部条件（外界气氛） 练习 P50-51: 5，7，9，11 当一块半导体中同时掺入P型杂质和N型杂质时，考虑室温下，杂质全部电离，以及杂质的补偿