半导体物理 第4章 半导体的导电性-赵老师-2012.pptVIP

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  • 2017-11-25 发布于湖北
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半导体物理 第4章 半导体的导电性-赵老师-2012.ppt

半导体物理 第4章 半导体的导电性-赵老师-2012

作业: 晶格振动中存在格波波矢不同,但每个原子振动情况完全相同的情形吗? 晶格振动的声学波和光学波有什么区别? * 物理与光电工程学院 3. 电阻率为10?.m的p型Si样品,试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。 解:查表4-15(b)可知,室温下,10?.m的p型Si样品的掺杂浓度NA约为: 查表3-2或图3-7可知,室温下Si的本征载流子浓度约为, 例题: 由于 则 * 物理与光电工程学院 6. 设电子迁移率0.1m2/( V??s),Si 的电导有效质量mc=0.26m0, 加以强度为104V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。 解:由 知平均自由时间为 平均漂移速度为 平均自由程为 * 物理与光电工程学院 作业: 4,5 * 物理与光电工程学院 谢谢 Thanks * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 而这个电子获得的漂移速度为: 由于在t~t+dt时间内受到散射的电子数为: 这些电子的总的漂移速度为: * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 (4-33) 对所有时间积分就得到N0个电子漂移速度的总和。再除以N0即得到平均漂移速度: 假定每次散射后v0的方向完全无规则,多次散射后v0在x方向分量的平均值应为零,即: * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与

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