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清华大学电子工程系99-11-12 作者：清华大学电子工程系 罗嵘 * * 习题8 10-9 第五章 集成逻辑电路 5.1概述 5.1.1 MOS管的基本特性 5.1.2CMOS逻辑电路 5.2半导体存储器 5.2.1随机存取存储器 5.2.2只读存储器 5.3可编逻辑器件 5.3.1可编程逻辑阵列 5.3.2可编程阵列逻辑 5.3.3其它可编程逻辑器件 （P227-245；“电子线路基础”P77-97，P107） 5.1.1 MOS管的基本特性 MOS管：一种常用的绝缘栅场效应管，金属-氧化物-半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor) 原理：通过改变电场强度控制半导体导电能力。 特点：集成度高（芯片面积小，制造工艺简单，成本低）； 功耗低；工作速度略低（电容的充放电）。 分类： N沟道增强型MOS管（ENMOS）；N沟道耗尽型MOS管（DNMOS） P沟道增强型MOS管（EPMOS ）；P沟道耗尽型MOS管（DPMOS） S G D Al N+ N+ L B W 掺杂浓度低的P型硅片 SiO2绝缘层 耗尽层 S：源极 G：栅极 D：漏极 B：衬底 d：氧化层厚度 L：沟道长度 W：沟道宽度 高掺杂 70年代，L=10μm，d=0.1 μm 80年代，L=1μm，d=0.02 μm 90年代末，L=.15μm，d=6 nm d 电路符号 S