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压力传感器的设计
压力传感器
策划人:耿文飞
目录
产品背景和发展前景
产品设计的主要内容
产品系统的基本组成
产品背景和发展前景
压力传感器是工业实践中最为常用的一种传感器,其广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。压力传感器的应用相当广泛,设计起来相对简单,而且操作方便、价格便宜,适宜大规模使用,因此,本产品拥有广阔的发展前景。
产品背景和发展前景
1.压力传感器的发展
硅单 晶 材 料优良的压阻效应与完美的微加工技术相结合,被广泛用于制
备压力传感器。这种薄膜压力传感器的发展过程可以分为四个阶段。
(l) 发明 阶 段(1497~1906):这个阶段主要是以1497年双极性晶体管的发明
为标志。此后,半导体及设备的特性得到了广泛应用。史密斯(CS.Smith)于1945年发现了硅和锗的压阻效应[,即当有机械力作用于半导体材料时,其电阻发生变化。依据此原理制成的第一个压力传感器是把应变!创沮片粘在金属簿上,将力信号转化为电信号进行测量。此阶段最小尺寸大约为Icm。
(2) 荃础 技 术发展阶段(1906一197)0:为提高传感器的性能,应变片被直接扩散在硅杯的底面簿膜上。用硅杯代替金属膜,’实现了金属一硅共晶体。这个阶段也是“商业和市场发展的阶段”,即把技术研究变为实际应用。此阶段最小加工线度为0.scm。
产品背景和发展前景
(3 )批 量加 工阶段(1907一198)0:采用选择性的各项异性的化学腐蚀加工的工艺提高膜片的性能。由于腐蚀可以在整个表面进行,因此,数百个传感器膜片可以一批加工完成。这一阶段类似于集成电路的制作。山于表面光刻技术的发展,加工尺寸十分精确,加之离子注入工艺的应用使工艺水平进一步提高。此阶段最小加工尺寸为0,2cm。
(4) 微 机械 加工阶段(1908~今):微机械加工工艺适应于结构型传感器,或线度在微米级(10一6协m)范围的其他结构。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜,标志着传感器已进入了微米阶段。此阶段标志传感器的最小尺寸为0.02cm。
2. 压力传感器的研究现状
目前 , 压 力传感器技术的研究方向: 1) 开发 耐 高温的压力传感器:主要是以新型半导体材料(IS)C为膜片的压阻式力传感器为代表。zierm an,Rene和vonBerg,Jochen等人先于1997年报 导了使用单晶n型psiC材料制成的压力传感器,这种压力传感器工作温度可
达573K,耐辐射,且有较高的灵敏度;okojie,Oberts和Ned, AlexanderA等人
压强
单位面积上垂直方向的压力(f)大小
F
A(单位面积)
P =
F (合力)
单位 : N/m2 = pa
A
压力的种类
标准压力
现以大气压为标准,以压力 ‘0’为基准,
大于‘0’为 (正压);小于‘0’为 (负压).
延 伸 压
以大气压为标准,增加或减少的压力
绝对压力
以完全真空为标准,在完全真空下,在压力为 ‘0’时的压力.
差 压
两压力之间的差压而言
基本名称
1
3
2
4
5
6
7
1. 3 1/2型 LED显示部(红色)
2. 输出1 显示灯(红色)
3. 输出2 显示灯(红色)
4. MODE 键
5. UP键
6. DOWN 键
7. 规定压力范围
8
8. 大气压导入口
控制输出
主回路
过电流保护回路
负荷
+V(褐色)
模拟电压输出
(橙色)
OUT1(黑色)
OUT2 (白色)
0V (青色)
12 - 24VDC
+
-
1KΩ
过电流保护回路
负荷
◆ 模拟电压输出内部无保护回路. 不要超过额定电源电压.
◆ 使用模拟电压输出时,请注意与之相连仪器的阻抗;另外,要考虑配线电阻产生电压的影响。
NPN open collector 输出型
最大流入电流:100mA以下
允许电压 : 30VDC 以下, 残留电压 : 1V以下
主回路
过电流保护回路
+V(褐色)
模拟电压输出
(橙色)
OUT1(黑色)
OUT2 (白色)
0V (青色)
12 - 24VDC
+
-
过电流保护回路
负荷
负荷
1KΩ
PNP open colletor 输出型
控制输出
◆ 模拟电压输出内部无短路保护回路,不要直接连接超出电源电压。
◆ 使用模拟电压输出时,请注意配线电阻产生电阻的影响.
最大流入电流:100mA以下
允许电压 : 2V 以下
面板标的设定
设定scalering 值
峰值
保持
M 按键 3秒
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