方块电阻及测量原理.pptVIP

理想情况CMOS反相器的静态电流为0，可实际总会有泄漏电流流过位于晶体管源或漏与衬底之间的反相偏置的二极管结 1.注入剂量过少则造成串联电阻过高,使迁移率下降。 2.注入剂量过多则会失去降低漏极端边缘电场强度的功能。 * 基板并非理想的面积无限大材料，对每个测量点改变电流方向测量两次以减少边缘效应的影响，同时也减少因为样品的不均匀性造成电阻率值的影响。 Rs及其测量原理 outline 2.Rs及其测量方法 3.数据测量及处理 1.浓度均匀对器件的影响 影响阈值电压 S D p substrate B G VGS + - n+ n+ depletionregion n channel 阈值电压的标准偏差过大即过于分散，则其功能失效，成品率降低 np和pn分别是p侧电子和空穴的平衡浓度。Is越小，二极管的反向截止特性越好； 影响漏电流 反相器原理 影响LDD 轻掺杂浓度和轻掺杂区域长度是LDD设计的关键。 不同轻浓度，漏电流与掺杂长度的关系 Beam均匀性 阈值电压 反相器漏电流 抑制载流子效应 profiler与扫描基板都依靠马达带动上下运动，运动的稳定性会影响其测量值。 所以需对机台的均匀性即profiler与基板运动的稳定性进行监控。 profiler上下扫描收集 Beam Data,分析计算出 Beam Uniformity,以调节 Corrector Magnet，达到要求。 注入时，基板在扫描运动着，使全玻璃得到均匀注入。 1.监视Ion Beam方向（图中Y方向）电流密度均一性。 2.监视基板扫描方向（图中X方向）Process 稳定性。 outline 2.Rs及其测量方法 3.数据测量及处理 1.掺杂浓度对器件的影响 Rs定义 Rs定义——一个正方形的薄膜导电材料“边”到“边”之间的电阻。 1.注入层的载流子浓度均匀即电阻率处处相同 2.注入层的载流子浓度不均匀即电阻率不相同 电导率 其中e载流子电荷量，n载流子浓度，u载流子迁移率 为什么可以用Rs来表示注入层的均匀性 h x Rs测量方法 1.伏安测量法（二探针法） 2.四探针法 电压表的内电阻很大，可以把电压测量电路视为断路，即通过电流为零,即在接触电阻上不产生压降V。 I d Rs与R测的关系 电流密度 间距相等条件 电阻率 S S S 1.当d》S时，以点电流为中心的半球面 2.当d《S，等位面近似为高为d圆柱面 直线型四探针 在直线等距中Rs与R测的关系： 反型注入 注入相同离子 注入相反离子 1.注入离子形成的导电层和衬底的并联阻值 2.衬底的厚度比导电层厚度大得多， 1.在离子注入形成的导电层和衬底之间会形成PN结，可以视为导电层与衬底隔开。 2.测量时探针不能扎穿PN结，以只测导电层Rs 硅片测量进行的反型注入 理想情况CMOS反相器的静态电流为0，可实际总会有泄漏电流流过位于晶体管源或漏与衬底之间的反相偏置的二极管结 1.注入剂量过少则造成串联电阻过高,使迁移率下降。 2.注入剂量过多则会失去降低漏极端边缘电场强度的功能。 * 基板并非理想的面积无限大材料，对每个测量点改变电流方向测量两次以减少边缘效应的影响，同时也减少因为样品的不均匀性造成电阻率值的影响。