InSb晶片材料性能表征与机理分析.pdfVIP

激 光 与 红 外 No．10 2013 巩 锋等 InSb晶片材料性能表征与机理分析 1147 采用腐蚀坑密度(EPD)来表征 InSb晶体的位 3)X射线双晶衍射半峰宽 错密度；用x光形貌来表征晶片的宏观晶体均匀性 和质量；用 ATE—E型x射线双晶衍射半峰宽表征 晶片材料的晶格完整性；用范德堡法对材料的电学 参数进行霍尔测试。随机抽取3个 InSb晶片，片号 分别为 JHJ1：A185—101、JHJ2：A181—78和 JHJ3： A182—54。每个晶片取连续 14个 5mm×5ram测试 区域，样品测试点分布如图3所示。 中心线 图6 InSb晶片X射线双晶衍射半峰宽 区域 从图6数据可以看出，整片材料半峰宽基本小 于30arcS~C，部分区域半峰宽接近个位数，材料晶格 完整性好，整体质量较高，未见区域或规律性分布。 4)电学参数 i 1p P1¨ 图3 InSb晶片样品测试点分布示意图 3 结果讨论及机理分析 3．1 结果讨论 图7 InSb晶片电学参数分布 1)位错密度 从以上数据可以看出，整片材料电学参数分布 较均匀，n型掺杂浓度在5．5～10×10¨cm～，迁移 率在2．4～4．5X10 cm ／V ·S，只有一个点意外 ，其 浓度为 11．676X10cm～；但随着靠近参考边，掺杂 浓度有缓慢增大趋势。 3．2 机理分析 由测试结果可知，InSb晶片材料整体质量较 高；但在靠近参考边区域，位错密度、x射线双晶衍 图4 lnSb晶片位错密度分布 由图4可知，InSb晶片材料整体位错极少，3片 射半峰宽、掺杂浓度增大，晶体质量稍低，这和 材料均在靠近参考边7mm范围以内位错相对稍多， (211)晶向InSb单晶生长原理密切相关。 但均远少于50／cm (代表国际上最高水平的美国 由 (211)晶向InSb单晶生长动力学原理，径向 Galaxy、英国wT和加拿大Firebird报道的位错密度 不同方向的生长速率不同，差异较大，三个方向生长 小于50／cm )，可见 InSb晶片材料 晶格质量极高。 速率较快，另一个方向生长速率较慢，因此导致近似 2)X光形貌 “梯形状”晶锭截面，如图由图8、图9所示。在晶体 生长的开始阶段，由于籽晶表面晶格的不完整性导 致随后晶体生长的位错遗传性和延续性，因此在籽 晶附近晶片位错密度较高。随着晶体的生长，在合 适条件下生长较快的方向，自然结晶导致位错的逐 #