材料科学基础5 材料中的扩散.pptVIP

第五章 材料中的扩散 5.1 扩散定律及其应用5.1.1 菲克第一定律：J=-D?c/?x D-扩散系数(m2/s) J-单位时间内通过垂直于扩散方向的单位截面积的扩散物质量 (g/m2/s或mol/m2/s) ?c/?x-截面处的浓度梯度 “-” 表示扩散方向与浓度梯度方向相反c-体积浓度(g/m3或mol/m3)适用条件：稳态扩散 - dc/dt=0,浓度及浓度梯度不 随时间改变。 5. 1.2 菲克第二定律 表达式：?c/?t=D?2c/?x2 -dJx=Jx -Jx+dx =mx/(A.dt)-mx+dx/(A.dt)=dmx/A.dt -dJx/dx=dmx/(A..dx.dt) ?c/?t=D?2c/?x2 5.1.3 科肯道尔(Kirkendall)效应 对二元置换扩散体系，采用互扩散系数： D= φ2D1+φ1D2 Ji*=-D?ci/?x Di叫本征扩散系数； D叫互扩散系数 5.1.3 科肯道尔(Kirkendall)效应 两个特例 1 自扩散：纯物质晶体中原子的扩散叫自扩散。自扩散系数一般用材料表面涂覆放射性同位素的方法(原子示踪法)测定。由于稳定元素与同位素的化学性质相同，故D=D*(同位素的扩散系数)。因此: D=φD*+φ*D=D 2 稀固熔体：当φ1→1，φ2→0(反之亦然)，于是： D=φ2D1+φ1D2=D2 5.1.4 扩散定律的应用 　（1）误差函数解－恒定扩散源 方程?c/?t=D?2c/?x2误差函数的通解为： c(β)=Aerf(β)+B 其中β= x/2?Dt erf(β)为高斯误差函数，其值可查表 适用条件：无限长棒和半无限长棒。 表达式：Cx=Cs－(Cs-C0)erf(β) (半无限长棒)。 　　 例：在渗碳条件下：C:x,t处的浓度； Cs:表面含碳量; C0:钢的原始含碳量。 ? 低碳钢棒渗碳：棒 的一端暴露于碳势 为cs(?c2)的渗碳介 质中，温度恒定在 奥氏体相区。 通常以渗碳表面到 给定碳浓度c*处为 渗碳层深度δ。根据 式5-5，有： erf(δ/2?Dt)=(cs-c*)/(cs-c0)=const 即：δ/2?Dt=const, 或： δ=α?Dt 这里?是与cs和c*有关的常数。 渗碳层深度与?Dt成正比是制定渗碳工艺的理论依据。 （２）高斯解(薄膜解）－限定源扩散 Cx=(M/√πDt)exp(-x2/4Dt) 适用条件：限定扩散源、衰减薄膜源 （扩散物质总量M不变；t=0,c=0) 例：半导体Si中P的掺杂。 以一定量M的扩散源涂覆于样品表面，经过时间τ的扩散处理后。扩散原子在扩散方向x上的放射强度分布函数为： I(x)=KMexp(-x2/4Dτ)/? πDτ 自扩散系数是材料耐热性能的重要参考指标 ? （３）正弦解－有限长物体中的扩散 Cx,t=Cp+A0sin(πx/λ)exp(-π2Dt/λ2) Cp:平均成分；A0：振幅Cmax- Cp；λ:晶粒间距的一半。 例：对于均匀化退火，若要求晶粒中心成分偏析振幅降低 到1/100,则： [C(λ／2,t)- Cp]/( Cmax- Cp)=exp(-π2Dt/λ2)=1/100。 ? 5.2 扩散的微观机理 1 扩散机制 扩散可分为间隙机制，空位机制，填隙机制和换位机制四种。 (1) 间隙机制 (2) 空位机制 (3)填隙机制 (4)换位机制 2 扩散程度的描述 （1）原子跃迁的距离 R=√Гt ? R: 扩散距离； Г：原子跃迁的频率（在一定温度下恒定）； ? : 原子一次跃迁距离（如一个原子间距）。 ? （2）扩散系数 D=?2PГ 对于立方结构晶体P=1/6, 上式可写为 D= ?2Г/6 P为跃迁方向几率； ?是原子一次跃迁距离； 对于简单立方结构?＝a; FCC: ?＝√2a/2; BCC: ?＝√3a/2。 D=fΓα2/6 相关系数f的值主要取决于晶体结构和扩散机制。如果扩散以空位机制进行，则： 金刚石结构 f=0.5 bcc结构 f=0.72 fcc和hcf结构 f=0.78 对于金属来说，由于点阵常数a的变化不大(10-10m数量级)，不同金属的扩散系数D的差异主要取决于跃迁几率Γ。 （3）扩散激活能 扩散激活能Q:原子跃