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下篇 电子技术 模拟电子技术 半导体器件 基本放大电路 集成运算放大器 直流稳压电源 二极管电路分析举例 P 区 N 区 内电场方向 E R 空间电荷区变宽 外电场方向 IR (2) 外加反向电压 外电场驱使空间电荷区的空穴和自由电子移向两侧 少数载流子越过PN结形成很小的反向电流 多数载流子的扩散运动难于进行 Flash链接 PN 结的单向导电性 PN 结的单向导电性 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 温度越高少数载流子的数目越多，反向电流将随温度增加。 PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小， 反向电阻较大，PN结处于截止状态。 结论： PN结的单向导电性：PN结正向运用（正向偏置）时导通，反向运用（反向偏置）时截止。 9.2 二极管 9.2.1 基本结构 将 PN 结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。按结构分，有点接触型和面接触型两类。 点接触型 表示符号 正极 负极 金锑合金 面接触型 N型锗 正极引线 负极引线 PN 结 底座 铝合金小球 引线 触丝 N 型锗 外壳 9.2.2 伏安特性 二极管和 PN 结一样，具有单向导电性，其伏安特性曲线如下： 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –25 –50 I/mA U/V 正向特性 硅管的伏安特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 I/mA U/V 0.2 0.4 – 25 – 50 5 10 15 –0.01 –0.02 锗管的伏安特性 0 通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。导通时的正向压降，硅管约为0.6 ~ 0.7V，锗管约为0.2 ~ 0.3V。 在二极管上加反向电压时，反向电流很小。但当反向电压增大至某一数值时，反向电流将突然增大。这种现象称为击穿，二极管失去单向导电性。产生击穿时的电压称为反向击穿电压 U(BR)。 二极管的伏安特性 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –25 –50 I/mA U/V 正向特性 硅管的伏安特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 I/mA U/V 0.2 0.4 – 25 – 50 5 10 15 –0.01 –0.02 锗管的伏安特性 0 9.2.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 最大整流电流是指二极管长时间使用时，允许流过 二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压 URWM 它是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压， 一般是反向击穿电压的一半或三分之二。 3. 反向峰值电流 IRM 它是指二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流 值。 二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性。它可用与整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.6 ~ 0.7V 锗0.2 ~ 0.3V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 [解] 两个二极管的阴极接在一起取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极 的电位。 V1阳 = -6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= -12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V D1承受反向电压为-6 V 流过 D2 的电流为 求：UAB 在这里，D2 起钳位作用，D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – [例 1] ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V [例2] 二极管的用途： 整流、检波、限幅、钳位、