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第九讲 场效应管放大电路 二、动态分析 如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。 成为： 根据上式做等效电路如图所示。 图 2.7.5　场效应管的微变等效电路 + + — — G D S 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 微变参数 gm 和 rDS (1) 根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。 (2) 用求导的方法计算 gm 在 Q 点附近，可用 IDQ 表示上式中 iD，则 　　一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rDS 为几百千欧的数量级。当 RD 比 rDS 小得多时，可认为等效电路的 rDS 开路。 2. 共源极放大电路的动态性能 VDD + uO ? iD VT ~ + ? uI VGG RG S D G RD 图 2.7.6　共源极放大电路的微变等效电路 将 rDS 开路 而 所以 输出电阻 Ro = RD MOS 管输入电阻高达 109 ?。 - D + + - G S RG + - 2.7.3　分压—自偏压式共源放大电路 一、静态分析 (一)近似估算法 根据输入回路列方程 图 2.7.7　分压 - 自偏式共源放大电路 + ? VT + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 解联立方程求出 UGSQ 和 IDQ。 + ? VT + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 图 2.7.7　分压 - 自偏式共源放大电路 列输出回路方程求 UDSQ UDSQ = VDD – IDQ(RD + RS) (二)图解法 由式 　　可做出一条直线，另外，iD 与 uGS 之间满足转移特性曲线的规律，二者之间交点为静态工作点。确定 UGSQ， IDQ 。 根据漏极回路方程 　　在漏极特性曲线上做直流负载线， 与 uGS = UGSQ 的交点确定 Q，由 Q 确定 UDSQ 和 IDQ值。 UDSQ uDS = VDD – iD(RD + RS) 3 uDS/V iD/mA 0 1 2 15 2 V 10 5 uGS 4.5V 4V 3.5V UGSQ 3 V VDD Q IDQ uGS/V iD/mA O 2 4 6 1 2 Q IDQ UGSQ UGQ 图 2.7.8　用图解法分析图 2.7.7 电路的 Q 点 * * 1.4　场效应三极管 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 D S G N 符号 1.4.1　结型场效应管 一、结构 图 1.4.1　N 沟道结型场效应管结构图 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 P 沟道场效应管 图 1.4.2　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S 二、工作原理 N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的。 G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 *耗尽层的宽度改变主要在沟道区。 　　1. 设UDS = 0 ，在栅源之间加负电源 VGG，改变 VGG 大小。观察耗尽层的变化。 ID = 0 G D S N型沟道 P+ P+ (a) UGS = 0 UGS = 0 时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽 UGS 由零逐渐增大，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。 当 UGS = UGS(off)，耗尽层合拢，导电沟被夹断，夹断电压 UGS(off) 为负值。 ID = 0 G D S P+ P+ N型沟道 (b) UGS 0 VGG ID = 0 G D S P+ P+ (c) UGS = UGS(off) VGG 　　2. 在漏源极间加正向 VDD，使 UDS 0，在栅源间加负电源 VGG，观察 UGS 变化时耗尽层和漏极 ID 。 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG UGS 0， ID 较小。