晶体管β值数显测量电路.doc

课题五 晶体管β值数显测量电路 设计任务与要求 设计任务 设计一个低频小功率NPN型硅三极管共射极电流放大倍数β值测量电路。 2、基本要求 β值的测量范围为50 ～ 250。 接入晶体管后自动显示被测晶体管的β值，当没有接入晶体管时数码管显示为零。 当接入晶体管的β值不在测量范围时，用发光二极管指示。 测量精度为±5%。 测量响应时间t1S。 扩展要求 分档指示功能，当β值为50～100，100～180，180～250时，分别用发光二极管指示。 能测量PNP管的β值。 基本工作原理 由设计要求可知只要将被测晶体管的β值转换为对应的电压值，对β值的测量转变为对电压的测量。将此电压进行比例调整后，进行A/D转换，然后进行译码显示即可。其原理框图如图2-5-1所示。 单元电路设计参考 β/V转换电路 基本思路为：对被测晶体管输入一固定值的基极电流，则其集电极电流Ic=βIb，然后将集电极电流转换为电压即可。 基极电流的设置可以采用如下两种方式。其一、如图2-5-2所示，选择恰当的基极偏置电阻Rb实现基极电流设置。 其二，利用恒流源实现基极电流的设置，如图2-5-3所示。这种方式的优点是可以对锗管设置基极电流而不需要改变电路结构或元件参数。由于要提供很小的基极电流，恒流源可以用如图2-5-4所示的微电流源实现。微电流源的参考电流与输出电流之间的函数关系为： 其中参考电流的大小可以表示为： 在设计中一般先确定IR和IC的值再去确定Re的值。 注意基极电流的大小应保证使所有被测晶体管都工作在放大区。一般可设基极电流为10uA。 电流电压的转换可以这样进行：其一、直接将Rc两端的电压取出这时有， 当Ib=10uA，β=100，Rc=1KΩ 时有Uo=1V。其二、利用集成运放构成的电流电压转换电路将集电极电流转换为电压如图2-5-5所示。输出电压与电流之间的关系为： 比例调整电路 比例调整电路的主要作用是将β/V转换电路的输出电压作适当的调整提供给A/D转换电路，以期得到一个合适的二进制数值，便于译码显示出对应的β值。常用的比例调整电路有：反相比例电路，同相比例电路，差动放大电路等。在此介绍一下常用的三运放差动放大电路，电压如图2-5-6所示。该电路具有高输入阻抗、高共模抑制比的特点，其输出电压可表示为： 通过调整Rp电阻的大小可以调整输出电压与输入差模电压的比例关系。 A/D转换电路 A/D转换电路将模拟量转换为数字量。实际应用中A/D转换芯片的种类有很多；根据转换速度分为高速、低速，根据转换精度分为8位、10位、12位，根据转换的工作原理分为计数型、双积分型、逐次逼近型、并行转换型等，实际设计电路时应根据具体系统的要求选择恰当的A/D转换芯片。ADC0809是一种8位的逐次逼近型的转换芯片，速度较高，价格适中在实际中使用较广。 现在以ADC0809为核心给出一个A/D转换电路的参考设计。 主要技术指标和特性 分辨率：8位； 总的不可调误差：±LSB； 转换时间：取决于芯片时钟频率，当CLK=500KHz时，转换时间为128us； 单一电源：5V； 模拟输入范围：单极性0-5V，双极性±5V，±10V； 时钟频率范围：10 KHz-1280 KHz； 具有可控三态输出缓冲器； 启动转换控制为脉冲式（正脉冲），上升沿使所有内部寄存器清零，下降沿使A/D转换开始； 使用时不需要进行零点和满刻度调节。 内部结构 ADC0809内部结构如图2-5-7所示。各引脚的定义如下： IN0-IN7：8路模拟输入，通过ADDA、ADDB、ADDC3根地址线来选通一路。 D7-D0：A/D转换后的数据输出端，为三态可控，其中D7为最高位，D0为最低位。 ADDA、ADDB、ADDC：模拟通道选择地址信号，ADDA为低位，ADDC为高位；地址信号与选中通道的对应关系如表所示。 VR（+）、VR（-）：正、负参考电压输入端，用于提供片内DAC电阻网络的基准电压。在单极性输入时，VR（+）=5V、VR（-）=0V；双极性输入时VR（+）、VR（-）分别接正、负极性的参考电压。 CLK：时钟信号输入端，时钟频率范围：10 KHz-1280 KHz；典型值为640 KHz。 ALE：地址锁存允许信号，高电平有效。当此信号有效时，ADDA、ADDB、ADDC三位地址信号被锁存、译码选通对应的模拟通道。在使用时，该信号通常和START信号连在一起，以便同时锁存通道地址和启动A/D转换。 START：A/D转换启动信号，正脉冲有效，上升沿使所有内部寄存器清零，下降沿使A/D转换开始；如正在进行A/D转换时，又接到新的转换启动信号，则原来的转换进程被中断，重新从头开始转换。 EOC：转换结束信号，高电平有效。在A/D转换进程中为低电平，其余时间为高电平。 OE