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场效应管及其基本放大电路 场效应管的主要参数和微变等效电路 场效应管放大电路 * 场效应管的主要参数和微变等效电路 场效应管基本放大电路 概 述 场效应管与晶体管的区别 1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 2. 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单级型器件。 3. 晶体管的输入电阻较低，一般102~104?； 场效应管的输入电阻高，可达109~1014? 场效应管的分类 结型场效应管JFET MOS型场效应管 直流参数 微变参数 微变等效电路 场效应管的直流参数 2. 夹断电压UP 夹断电压是耗尽型MOS或JFET的参数，当UGS=UP 时,漏极电流为零。 3. 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管当UGS=0时所对应的漏极电流。 1. 开启电压UT 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 场效应管的微变参数 1. 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用 gm的求法: ① 图解法—gm实际就是转移特性曲线的斜率 ②解析法：如增强型MOS管存在ID=K(UGS-UT)2 微变参数 2. 漏极电阻rds 反映了UDS对ID的影响，实际上是输出特性曲线上工作点切线上的斜率。 场效应管的微变等效电路 S D gds Ugs + - + - Uds G ID ? 低频微变等效电路 由输出特性： ID=f(UGS,UDS) ID gmUgs 场效应管偏置电路 三种基本放大电路 场效应管偏置电路 ? 自给偏置电路 场效应管偏置电路的关键是如何提供栅源控制电压UGS。 自给偏置电路： 适合结型场效应管和耗尽型MOS管 外加偏置电路： 适合增强型MOS管 UGS = UG-US = -ISRS ≈ -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) G S D 基本自给偏置电路 偏置电路 ? 自给偏置电路 改进型自给偏置电路 R1R2提供一个正偏栅压UG 大电阻（M?)， 减小R1、R2对放大电 路输入电阻的影响。 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 偏置电路 ? 外加偏置电路 -IDRS R1和R2提供一个固定栅压 UGS = UG-US 注：要求UGUS，才能提供一个正偏压，增强型管子才能 正常工作。 三种基本放大电路 ? 共源放大电路 1. 直流分析 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 基本放大电路 ? 共源放大电路的动态分析 计算Au、Ri’、Ro’(分别计算接Cs、未接Cs两种情况) 基本放大电路 ? 共源放大电路 Id G RG R1 R2 RD RL D rds RS gmUgs S Ugs Ui Uo 未接Cs时 一般rds较大可忽略 = - gmUgsRD Ugs + gmUgsRs = - gmRD 1 + gmRs RD=RD//RL 基本放大电路 ? 共源放大电路 Id G RG R1 R2 RD RL D rds RS gmUgs S Ugs Ui Uo 未接Cs时 = - gmRD 1 + gmRs ri ri=RG+(R1//R2) ≈RG ro ro ≈ RD 接入Cs时 AU= -gm(rds//RD//RL) ri=RG+(R1//R2) ≈RG ro =RD//rds≈ RD Rs的作用是提供一个直流栅源电压、引入直流负反馈来稳定工作点。但它同时对交流也起负反馈作用，使电路的放大倍数降低。 接入CS可以消除RS对交流的负反馈作用。 ri 基本放大电路 ? 共漏放大电路 G S D Ui RG G Uo RL RS gmUgs rds S D = gmUgsRS Ugs + gmUgsRs = gmRS 1 + gmRs RS=rds//RS//RL≈ RS//RL 1 gmRS1 AU≈1 ri=RG Ugs + - 电压增益 输入电阻 基本放大电路 ? 共漏放大电路 输出电阻 Ugs + - gmUgs RS + - Uo Io ro Ui G Uo S RG RL RS gmUgs rds D Ugs + - - gmUgs Ugs= -Uo =Uo(1/Rs+gm) * * * * *