多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整.pdfVIP

　第 19 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 5　 V o l N o 　1998 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 多量子阱非对称法布里珀罗 光调制器的模式波长调整 吴荣汉　陈志标　陈弘达　高文智　赵　军 ( 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心　北京　100083) 摘要　本文计算了不同折射率膜层下, 非对称法布里珀罗腔模式波长随膜层厚度的变化. 分析 了在膜层折射率较低时, 模式波长随层厚的增加反而减小的机理, 并在实验中研究这种现象. 利用湿法腐蚀的方法移动模式波长, 补偿由生长误差引入的模式波长偏差, 从而做到模式波长 可控, 获得高消光比的器件. 同时利用湿法腐蚀方法将模式波长调整到不同位置, 测量了不同 模式波长位置时器件的调制特性. PACC: 4265P , 4280K 1　引言 近十几年来, 人们对多量子阱在外加电压下的量子限制 Stark 效应进行了很多的研究, 由此而发展起来的多量子阱非对称法布里珀罗( , ) 光调制 A SFP A symm etric Fab ry Pero t 器、自电光效应器件(SEED ) 以及灵巧象素元(Sm art P ixels ) 得到很快的发展[ 1～ 5, 11, 12 ] , 这 些器件将在光互连和光交换中发挥重要的作用. 这类器件底部一般都有一个反射率高达 90% 以上的 ( ) 膜堆, 中间为多量子阱吸收层, 顶部的反射 DBR D istribu ted B ragg R eflecto r ( ) 率一般在 30% 左右 GaA s空气界面 , 因为顶部和底部的反射率不同, 因而构成一个非对 称 腔. 腔的谐振作用可使吸收效应增强. 要获得好的调制特性, 模式波长必需位 F P A SFP ( ) [ 5 ] 于重空穴激子峰 的适当位置 . 由于生长厚度的偏差, 不可避免地使模式波长的位 e hh 置与设计值发生偏离. 虽然高消光比调制器的消光比已达 30dB [ 4 ] , 但对生长控制十分苛刻, 或者只能选择生长片上模式波长合适的一小部分制作器件才能达到高的消光比, 而其他部 分由于模式波长偏离, 只能采用后工艺的处理办法. 在一般的文献资料中, 往往在器件的顶 部镀减反膜以减小或消除 腔的谐振作用, 此时器件消光比将下降. 事实上由于减反膜 F P 很难真正使顶部的反射率降到零, 因此 腔的谐振作用依然存在, 只是较弱而已, 因此, F P 分析镀膜时模式波长的移动仍然十分重要. 另外也可以采用湿法腐蚀的方法调整模式波长, 镀膜实际上是增加了 腔的腔长, 因而可以改变 腔的模式波长位置, 相反, 湿法腐蚀 F P F P 吴荣汉　男, 1936 年出生, 研究员, 国家光电子工艺中心主任, 主要从