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集成电路制造技术 教材 微电子制造科学原理与工程技术(第二版) Stephen A. Campbell, 电子工业出版社 参考书 半导体制造技术 Michael Quirk,电子工业出版社 硅片制造工艺流程 扩散与注入的区别 离子注入的定义 离子注入的过程 离子注入的优缺点 优点：(1980) ⒈可在较低的温度下，将杂质掺入到半导体中。 ⒉能精确控制掺入杂质的浓度分布和注入深度。 ⒊可实现大面积均匀掺杂，而且重复性好。 ⒋掺入杂质的纯度高。 ⒌掺杂程度不受固溶度的限制。 ⒍杂质的横向扩散小。 ⒎可以通过半导体表面上的一定厚度SiO2膜，进行掺杂注入。 缺点： ⒈高能粒子注入改变晶格结构。 ⒉设备昂贵（2000000美元）。 ⒊很浅和很深的注入分布都难以得到。 什么是等离子体？ 由大量的带电粒子组成的非束缚态的宏观体系 非束缚性：异类带电粒子之间相互“自由”，等离子体的基本粒子元是正负荷电的粒子（电子、离子），而不是其结合体。 粒子与电磁场的不可分割性：等离子体中粒子的运动与电磁场（外场及粒子产生的自洽场）的运动紧密耦合，不可分割。 集体效应起主导作用：等离子体中相互作用的电磁力是长程的。 等离子体是物质的第四种形态 宇宙中90％物质处于等离子体态 人类的生存伴随着水，水存在的环境是地球文明得以进化、发展的的热力学环境，这种环境远离等离子体物态普遍存在的状态。因而，天然等离子体就只能存在于远离人群的地方，以闪电、极光的形式为人们所敬畏、所赞叹。 由地球表面向外，等离子体是几乎所有可见物质的存在形式，大气外侧的电离层、日地空间的太阳风、太阳日冕、太阳内部、星际空间、星云及星团，毫无例外的都是等离子体。 地球上，人造的等离子体也越来越多地出现在我们的周围。 日常生活中：日光灯、电弧、等离子体显示屏、臭氧发生器 典型的工业应用：等离子体刻蚀、镀膜、表面改性、喷涂、烧结、冶炼、加热、有害物处理 高技术应用：托卡马克、惯性约束聚变、氢弹、高功率微波器件、离子源、强流束、飞行器鞘套与尾迹 等离子体参数空间 电离气体是一种常见的等离子体 放电是使气体转变成等离子体的一种常见形式 等离子体 ? 电离气体 等离子体物理研究领域 低温应用等离子体* 高温聚变等离子体 空间和天体等离子体 低温等离子体技术 沉积功能薄膜材料和材料表面改性 集成电路 (芯片) 辅助加工 化学气相沉积（成膜） 刻蚀 微电机系统( Micro-electro-mechanical system, MEMs) 辅助加工 超大平板显示系统 (等离子体彩电) 托卡马克装置(核聚变等离子体) 受控热核聚变 10克氘＋15克氚 ＝ 人一生所需能源 500升海水含10克氘 无环境污染及长寿命，无放射性废料 离子注入系统 系统包含： 离子源(BF3, AsH3, PH3) 加速管 终端台 离子源 离子加速 质量分析器 由经典力学 束扫描 批加工多极热靶转换器 库伦散射 垂直投影射程 注入离子分布范围 碰撞过程中能量损失机制 一是离子能量传给衬底原子核，是入射离子偏转，也使原子核从格点移出。(核阻滞)(Sn) 二是入射离子与衬底原子的电子云相互作用，通过库仑作用，离子与电子碰撞失去能量，电子则被激发至高能级或脱离原子。(电子阻滞)(Se) 两种阻滞与能量的关系 投影射程公式的推导 沟道效应和横向投影射程 当注入离子速度方向平行于主晶轴时，就会出现沟道效应。 降低沟道效应的方法 降低沟道效应的方法 1、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。常用的覆盖层非晶体材料只是一层薄的氧化层[图(a)]，此层可使离子束的方向随机化，使离子以不同角度进入硅晶片而不直接进入硅晶体沟道。 2、将硅晶片偏离主平面5-10度，也能有防止离子进入沟道的效果[图(b)] 。此方法大部分的注入机器将硅晶片倾斜7度并从平边扭转22度以防止沟道效应。 3、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面，可在硅晶片表面产生一个随机层[图(c)]，这种方法需使用昂贵的离子注入机。 注入损伤 入射离子与晶格碰撞产生原子移位，形成一个沿着离子路径的树枝状的无序区，形成损伤。 晶体中的缺陷 一次缺陷primary defects 二次缺陷Secondary defects 点缺陷重新组合并扩展形成的，如位错环或双空位 退火(在氮气中) 杂质对注入的影响 掩蔽膜对离子注入的影响 200KeV离子束与阻挡层厚度的关系 磷，砷锑的RP 硼，镓的RP 111 100 110 图为沿110方向观测金刚石晶格的示意图。离子在该方向入射，对沟道离子来说，唯一的能量损伤机制是电子阻滞，因此沟道离子的射程可以比在非晶硅靶中大得多。 离子注入 离子注入 离子注入 氧化层 晶格