一氧化碳(CO)除味控制系统设计.doc

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一氧化碳(CO)除味控制系统设计

1,摘要 随着生活的普遍小康,人们不再只对温饱问题倍加关心,也逐渐对周围的生活环境有了更高要求,空气,饮用水,食品安全等等,这几年的生活环境出现的隐患问题逐渐成了人们关心的主要话题,提高空气质量,对现在和未来都是迫不及待的问题。一氧化碳是一种无色无味的气体,不易被人察觉。而人体血液中血红蛋白与一氧化碳的结合能力比与氧的结合能力要强200多倍。而且,血红蛋白与氧的分离速度又很慢。所以,人一旦吸入一氧化碳,氧便失去了与血红蛋白结合的机会,使组织细胞无法从血液中获得足够的氧气,导致呼吸困难,进而发生中毒。一氧化碳中毒时,病人最初感觉为头痛、头昏、恶心、呕吐、软弱无力,当他意识到中毒了,医学教育网搜集整理会挣扎下床开门、开窗,但一般仅有少数人能打开门,大部分病人迅速发生痉挛、昏迷,两颊、前胸皮肤及口唇呈樱桃红色,如救治不及时,可很快因呼吸抑制而死亡。因此,预防一氧化碳中毒是非常重要的。 4,元器件选择与介绍 4.1,气敏元件 一氧化碳气敏元件为MQ411/412,下图为网上搜索的气敏元件图片资料 在仿真软件protuse中因为没有MQ411/412,又因为周围无可测气体,故用电位器代替产生电压信号输入ADC0808中 4.2,ADC0808 ADC0808是采样分辨率为8位的、以逐次逼近原理进行模/数转换的器件。其内部有一个8通道多路开关,它可以根据地址码锁存译码后的信号,只选通8路模拟输入信号中的一个进行A/D转换。    ADC0808引脚图 4.3,AT89C51 AT89C51是一种带4K字节FLASH存储器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压、高性能CMOS 8位微处理器,俗称单片机。AT89C2051是一种带2K字节闪存可编程可擦除只读存储器的单片机。单片机的可擦除只读存储器可以反复擦除1000次。该器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造,与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。由于将多功能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中,ATMEL的AT89C51是一种高效微控制器,AT89C2051是它的一种精简版本。 下图为引脚图(摘自protuse) AT89C51引脚图 外形引脚图如下 管脚说明:   VCC:供电电压。   GND:接地。   P0口:P0口为一个8位漏级开路双向I/O口,每脚可吸收8TTL门电流。当P0口的管脚第一次写1时,被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器,它可以被定义为数据/地址的低八位。在FIASH编程时,P0 口作为原码输入口,当FIASH进行校验时,P0输出原码,此时P0外部必须接上拉电阻。   P1口:P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口,P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。P1口管脚写入1后,被内部上拉为高,可用作输入,P1口被外部下拉为低电平时,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时,P1口作为低八位地址接收。   P2口:P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2口缓冲器可接收,输出4个TTL门电流,当P2口被写“1”时,其管脚被内部上拉电阻拉高,且作为输入。并因此作为输入时,P2口的管脚被外部拉低,将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时,P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时,它利用内部上拉优势,当对外部八位地址数据存储器进行读写时,P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。   P3口:P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口,可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入“1”后,它们被内部上拉为高电平,并用作输入。作为输入,由于外部下拉为低电平,P3口将输出电流(ILL)这是由于上拉的缘故。   P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口,如下表所示:   口管脚 备选功能   P3.0 RXD(串行输入口)   P3.1 TXD(串行输出口)   P3.2 /INT0(外部中断0)   P3.3 /INT1(外部中断1)   P3.4 T0(记时器0外部输入)   P3.5 T1(记时器1外部输入)   P3.6 /WR(外部数据存储器写选通)   P3.7 /RD(外部数据存储器读选通)   P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。   RST:复位输入。当振荡器复位器件时,要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。   ALE/PROG:当访问外部存储器时,地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的低位字节。在FLASH编程期间,此引脚用于输入编程脉冲。在平时,ALE端以不

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