上线酸槽蚀刻参数DOE分析.doc

I8000 上线酸槽蚀刻参数DOE分析 一、实验目的 针对酸槽蚀刻的不良，研究分析影响蚀刻不良的各种因子，首先通过第一阶段实验找出影响酸槽蚀刻不良的显著因子，再通过第二阶段实验去寻找最优参数组合。 二、因子筛选 1、酸槽蚀刻原理介绍 酸槽蚀刻为ITO触摸屏制作的关键步骤。针对I8000这个机种的上线为日东双层FILM材料（1220-2L-V270-TFME-340），它的酸溶液配置成分为HCL (36-38%) : HNO3(65-68%) : H2O (纯水)，分别按照50：1：50的比率配制。酸槽的主要目的是利用酸溶液将FILM上多余的ITO导电膜蚀刻掉。请看下面的截面图所示位置： 2、因子选择 根据以往不良记录，产生的酸槽蚀刻不良现象的原因有：耐酸印刷时透版、渗透、套版偏差，耐酸厚度过大或偏小，传动速度太快或太慢，酸溶液的浓度过大过过小，喷压过大或过小，溶液温度过高或过低，材料放进蚀刻槽时操作不当等等。 以上不良中，耐酸印刷时透版、渗透、套版偏差；材料放进蚀刻槽时操作不当；这些是前工序的不良或者人员的问题，因此在第一阶段实验可以忽略这些项目不良。同时，耐酸的印刷厚度要求为8~12m。 在第一阶段实验只考虑以下5个因子：速度，酸液浓度，温度，蚀刻喷压和耐酸厚度。 三、第一阶段实验设计 1、因子水平对照表 1 2 交互作用 A 酸槽速度（m/min） 1.5 2.5 B 酸液浓度（mol/L） 4.0 5.0 C 溶液温度（℃） 35.0 45.0 D 蚀刻喷压（kg/cm ） 0.5 1.5 F 耐酸厚度/ 8.0 12.0 2、找显著因子 每个实验号做50次实验，用L(2)统计实验结果如下： 1 2 3 4 5 产量XK A B C D F 1 1 1 1 1 1 30 2 1 1 1 2 2 33 3 1 2 2 1 1 39 4 1 2 2 2 2 42 5 2 1 2 1 2 43 6 2 1 2 2 1 44 7 2 2 1 1 2 43 8 2 2 1 2 1 46 K1 144 150 152 155 159 总产量320 K2 176 170 168 165 161 Q 32 20 16 10 2 此得出： S=128.000，S=50.000，S=32.000，S=12.500，S=0.500 计算总离差平方和： Q=13024.00，S=224.00，S=1.000 3、整理成方差分析表如下： 方差来源 离差平方和 自由度 平均离差平方和 F值 临界值 显著性 贡献率 A 128.000 1 128.000 384.000 F(1,3)= 34.12 ** 57.14% B 50.000 1 50.000 150.000 ** 22.32% C 32.000 1 32.000 96.000 ** 14.29% D 12.500 1 12.500 37.500 ** 5.58% F 0.500 1 0.500 1.500 0.22% 误差 1.000 3 0.333 　 　 　 0.45% 总和 224.000 8 　 　 　 　 100% 4、第一阶段实验结论 由前面可以得出A，B，C，D为显著因子，它们总贡献率为99.33%，F为隐性因子。 四、第二阶段实验设计 为了找出最佳的参数组合，故将第一阶段实验找出的显著因子A、B、C、D再进行第二阶段实验，每个因子拟3个水平，每个实验号做50次实验，实验结果如下： 因子水平对照表 1 2 3 交互作用 A 酸槽速度（m/min） 1.0 1.8 2.6 　 B 酸液浓度（mol/L） 4.0 5.0 6.0 　 C 溶液温度（℃） 35 45 55 　 D 蚀刻喷压（kg/cm ） 0.5 1.0 1.5 点线图 用L(3)统计实验结果如下： 1 2 3 4 5 6 7 8 9 11 产量XK A B (A*B)1 (A*B)2 C (A*C)1 (A*C)2 (B*C)1 D (B*C)2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 14 2 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 23 3 1 1 1 1 3 3 3 3 3 3 21 4 1 2 2 2 1 1 1 2 2 3 22 5 1 2 2 2 2 2 2 3 3 1 32 6 1 2 2 2 3 3 3 1 1 2 23 7 1 3 3 3 1 1 1 3 3 2 26 8 1 3 3 3 2 2 2 1