传感器唐文彦第02章节电阻式传感器.pptVIP

第二章 电阻式传感器 温度补偿的方法 （1）采用敏感栅热处理或采用两种温度系数的材料相互补偿的方法，使得敏感栅与试件热膨胀系数相似。 （2）电桥补偿法（电路实现）。 第二章 电阻式传感器 R1 R2 R3 R4 U 若初始电阻 。 电桥输出电压与各桥臂电阻的增量表达式为： 第二章 电阻式传感器 每一个桥臂电阻变化均是两部分：一部分是应变引起的；另一部分是温度引起的。 若桥臂电阻均在同一温度场，各桥臂电阻同批制造，材料规格、工艺均相同，则由温度变化引起的电阻相对变化相互抵消，且不在电桥输出中反映。 第二章 电阻式传感器 RW RC R3 R4 U RW RC 半桥连接 RW RC R3 R4 U 第二章 电阻式传感器 RW RC 差动半桥连接 RW RC RW RC U 第二章 电阻式传感器 RW RC RW RW 全桥连接 四、应变片的主要参数 1、几何尺寸：敏感栅基长、基宽、应变片的基底长 和基底宽； 2、初始电阻：未粘贴前，在室温下测得的电阻 (常 用120Ω)； 3、绝缘电阻：敏感栅与基底间的电阻值； 4、允许工作电流：最大的工作电流。 第二章 电阻式传感器 第二章 电阻式传感器 五、应用举例 举例1：桥梁固有频率测量 原理 在桥中设置一三角形障碍物，利用汽车碍时的冲击对桥梁进行激励，再通过应变片测量桥梁动态变形，得到桥梁固有频率。 第二章 电阻式传感器 举例2：电子称 原理 将物品重量通过悬臂梁转化结构变形再通过应变片转化为电量输出。 第二章 电阻式传感器 举例3：力传感器测量电路 － ＋ ＋ － ± AD581 +10V +15V A1 AD741 10Ω 1500P 200 +10V +12V b a 722.6Ω +15V －15V 输出Uo 4.99K 24.9K 0~10V 负载 失调 +15V A2 AD522 10K Rg 4 1 14 2 13 3 6 8 5 12 7 11 调整Rg使电路满量程输出为0~10V 举例4：电阻应变仪 第二章 电阻式传感器 测 量 电 桥 放大器 相 敏 检波器 低 通 滤波器 显示器 读 数 电 桥 振荡器 稳 压 电 源 基于双桥平衡法的静态应变仪 ε 第二章 电阻式传感器 RW 放大器 Δu Rc uo uo’ A B C 放大器输入信号 当 时， 因此 （ 、K0、u0、R均为常数） 第二章 电阻式传感器 §2-3 压阻式传感器 压阻式传感器——利用硅的压阻效应和微电子技术制成。 特点：灵敏度高、动态响应好、精度高、易于微型化和 集成化。 半导体应变片制成的粘贴型压阻传感器 力敏电阻与硅膜片一体化扩散型压阻传感器 一、半导体压阻效应 第二章 电阻式传感器 压阻效应：固体受到作用力后，电阻率就要发生变 化，这种现象称为压阻效应。 所有材料在某种程度都呈现压阻效应，但在半导体材料中，这种效应特别显著。 第二章 电阻式传感器 金属应变片发生应变后，使导体的几何尺寸发生改变 ——〉阻值变化 半导体材料的电阻大小取决于有限数目的载流子—— 空穴和电子的迁移。 加在一定晶向上的外界应力，引起半导体能带的变化，使载流子的迁移率产生较大的变化，导致半导体电阻率产生相应的变化。 第二章 电阻式传感器 半导体的电阻率 与载流子数 之积成反比。 e —— 电子电荷量。 应力作用于半导体时，同时使 和 发生变化，变化的大小和方向取决于半导体的类型、载流子浓度以及作用于半导体某一晶向上的压力。 第二章 电阻式传感器 式中： —— 纵向压阻系数 —— 应力 由材料力学知： 应力 应变 半导体材料弹性模量 这样 第二章 电阻式传感器 金属电阻丝的相对灵敏度系数为： 代入得到： 弹性模量 泊松比 压阻系数 金属应变片 ? 基本不变 金属应变片 半导体应变片 ? 变化 半导体应变片 第二章 电阻式传感器 常用的单晶硅材料是各向异性的，取向不同时特性不一样。取向用晶向来表示。 晶向是晶面的法线方向，用密勒指数表示。 密勒指数是在晶体x、y、z 轴上晶面截距的倒数化成的三个没有公约数的整数。 压阻系数随晶向不同而异，晶向不同，压阻效应也明显不同。对P型硅来说，〈111〉晶向的相对灵敏度系数K111达150，而〈100〉晶向的K100只有10左右。 第二章 电