数电第三章ch3.ppt

3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路, vI=0V时: vO＝VCE≈0.2V，c、e极之间近似于短路, vI=5V时: 2. BJT的开关时间 从截止到导通 开通时间ton(=td+tr) 从导通到截止 关闭时间toff(= ts+tf) BJT饱和与截止两种状态的相 互转换需要一定的时间才能完成。 CL的充、放电过程均需经历一定 的时间，必然会增加输出电压?O波 形的上升时间和下降时间，导致基 本的BJT反相器的开关速度不高。 3.2.2基本BJT反相器的动态性能 若带电容负载 故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。 输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。 中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电结和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号； R b1 4k W R c 2 1.6k W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 负载 R e2 1K W V CC (5V) 输入级 中间级 输出级 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1. 电路组成 输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度 2. TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善） （1）当输入为低电平（?I = 0.2 V） T1 深度饱和 截止 导通 导通 截止 饱和 低电平 T4 D4 T3 T2 T1 输入 高电平 输出 T2 、 T3截止，T4 、D导通 （2）当输入为高电平（?I = 3.6 V） T2、T3饱和导通 T1:倒置的放大状态。 T4和D截止。 使输出为低电平. vO=vC3=VCES3=0.2V 0 1 1 0 输出L 输入A 逻辑真值表 逻辑表达式 L = A 饱和 截止 T4 低电平 截止 截止 饱和 倒置工作 高电平 高电平 导通 导通 截止 饱和 低电平 输出 D4 T3 T2 T1 输入 1. TTL与非门电路 多发射极BJT T 1 e e b c e e b c A B A L = B 3.2.4 TTL逻辑门电路 TTL与非门电路的工作原理 任一输入端为低电平时: TTL与非门各级工作状态 低电平（0.2V） 饱和 截止 饱和 倒置使用的放大状态 输入全为高电平 (3.6V) ?O T3 T4 T2 T1 ?I 高电平（3.6V） 截止 放大 截止 深饱和 输入有低电平 (0.2V) 当全部输入端为高电平时： 输出低电平 输出高电平 2. TTL或非门 若A、B中有一个为高电平: 若A、B均为低电平: T2A和T2B均将截止， T3截止。 T4和D饱和， 输出为高电平。 T2A或T2B将饱和， T3饱和，T4截止， 输出为低电平。 逻辑表达式 vOH vOL 输出为低电平的逻辑门输出级的损坏 3.2.5 集电极开路门和三态门电路 1.集电极开路门电路 a） 集电极开路与非门电路 b） 使用时的外电路连接 C） 逻辑功能 L = A B OC门输出端连接实现线与 VCC 2. 三态与非门(TSL ) 当CS= 3.6V时 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 B A 输出端L 数据输入端 CS 三态与非门真值表 当CS= 0.2V时 高阻 × × 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 B A 输出端L 数据输入端 CS 高电平 使能 = = 高阻状态 与非逻辑 Z L AB L CS = 0 ____ CS =1 真值表 逻辑符号 A B CS L EN 特点:功耗低、速度快、驱动力强 3.2.6 BiCMOS门电路 ?I为高电平: MN、M1和T2导通，MP、M2和T1 截止，输出?O为低电平。 工作原理: M1的导通, 迅速拉走T1的基区存储电荷; M2截止, MN的输出电流全部作为T2管的驱动电流, M1 、 M2加快输出状态的转换 ?I为低电平: MP、M2和T1导通，MN、M1和T2 截止，输出?O为高电平。 T2基区的存储电荷通过M2而消散。 M1 、 M2加快输出状态的转换电路的开关速度可得到改善 M1截止，MP的输出 电流全部作为T1的驱动电流。 3.5.1 正负逻辑问题 3.5 逻辑描述中的几个问题 3.5.2 基本逻辑门的等效符号及其应用 3.5.1 正负逻辑问题 1. 正负逻辑的规定 0