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课程中心: 学号登陆-课程资源-课程总览-计算机科学与技术学院-模拟电子技术基础-教学资料 登陆信箱下载课件 monidianzi2013@126.com 密码：shenchun 例:电路如图所示，设ui=10sinωt ，二极管使用恒压降模型（0.7V），试画出输出电压uo的波形。 作业 习题 1，2，4，5，9，10，13，15，17 3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR——— 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 (3) 反向电流IR—— 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 (4) 最高工作频率fM: 由于PN结存在结电容,当频率升高到一定值时,二极管失去单向导电性. 1.4 二极管的基本电路及分析方法 i R 10V E 1kΩ + – vD 一、简单二极管电路的图解分析方法 i vD E E /R 端口左边为线性器件 i = ( E–vD)/ R 端口右边为非线性器件 i vD i vD 图解分析 Q 二、二极管的简化模型分析方法 D U 2.恒压降模型（串联电压源模型） U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 D i u U 1.理想二极管模型 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—A特性 - + i u 3.折线模型 u≥Uth U th 二极管的门坎电压。硅管 0.5V；锗管 0.1V。 D U 2.恒压降模型（串联电压源模型） U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 D i u U th U rD=200W i u Uth + - u i th U rD rD=(0.7V-0.5V)/1mA=200W uUth 4.小信号模型 如果信号在静态工作Q（v=VD,i=ID）附近工作，可以把与Q点处相切直线的斜率的倒数作用微变电阻rD rD= △uD / △iD≈VT/ID=26(mV)/ ID i u Q △iD △uD rD △iD + - △uD 导通压降 二极管的V—A特性 - + i u I R 10V E 10kΩ 例1： 测量值 0.932mA 理想二极管模型 R I 10V E 10kΩ mA 1 K 10 V 10 = W = I 相对误差 0 0 0 0 7 100 0.932 1- 0.932 = d × ≈ 恒压降模型 I R 10V E 10kΩ 0.7V mA 0.93 V ) 7 . 0 10 ( = 10KW - = I 相对误差 0 0 0.2 100 0.932 0.932-0.93 = d × ≈ 0 0 折线模型 0.5V I R 10V E 10kΩ rD =200W d mA 0.931 V ) 5 . 0 10 ( ≈ 10.2KW - = I 相对误差 0 0 0.1 100 0.932 0.932-0.931 = × ≈ 0 0 二极管的近似分析计算 1.4.2 二极管应用的典型电路 1.限幅电路:能把输出电压限制在一定幅值内的电路。 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V 采用恒压降模型 UREF = 2V 2.整流电路：将交流电压转变成单向直流电压的电路 采用理想模型 + + - - vi vo 0 vi t 0 vi t 3.开关电路: 利用二极管的单向导电性，可以接通或断开 电路。 vi1 vi2 vo 采用理想模型 该电路是“与”门电路。完成了“与”的逻辑关系 VCC +5V 例: 电路如图（a）所示，其输入电压vi1和vi2的波形如图（b）所示，设二极管为理想二极管。试画出输出电压vo的波形。 例:在0 ≤ t ≤ 10ms时间内，电路输入vi(t)波形如图所示。分别绘出以下两图电路的输出电压Vo(t)的波形。 设二极管是理想的。 1.5 特殊二极管 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 【例1.4】由稳压管可以组成稳压限幅电路。（设稳压管导通时的管压降是0V） 本章小结 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结