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多晶硅生长过程中氧化夹层形成机理热力学研究.pdfVIP

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  • 2017-11-30 发布于湖北
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多晶硅生长过程中氧化夹层形成机理热力学研究.pdf

    2010年第1期 圣右乞粉按 35 DONGFANGTURBJNE 易华兵 (东汽乐山硅材料分公司，四川 乐山，614000) 摘 要：多晶硅在生长过程中，由于温度控制的不准确性，易导致硅芯／硅棒氧化而形成氧化夹层。针对以上问题，文 章从热力学的角度揭示了氧化夹层形成的原因，提出了消除氧化夹层的具体措施。 关键词：多晶硅；热力学；氧化夹层 ThermoDynamicalStudyofOxidationInterlayerFormation inPolysiliconProduction YiHuabing (DongQiLeshanSiliconMaterialsBranchLeshanSiclman614000) Abstract：Theoxidatio

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