内半径为r2的金属球壳.ppt

静电场中的电介质 五、电容器之电容 ?A ?B +q -q 1、孤立导体的电容 2、平板导体的电容 3、球形导体的电容 4、圆柱形导体的电容 例、半径都是R的两根无限长均匀带电导线，其电荷线密度分别为+?和－ ?，两直导线平行放置，相距为d（dR).试求该导体组单位长度的电容。 x d R +? － ? x 电容器的串并联 U + + + + _ _ _ _ + + + + _ _ _ _ q q - q -q U1 U2 C1 C2 U + + + + _ _ _ _ q1 U C1 + + + + _ _ _ _ q2 - q C2 分子中的正负电荷束缚的很紧，介质内部几乎没有自由电荷。 电介质的特点： 电介质： 电阻率很大，导电能力很差的物质，即绝缘体。 （常温下电阻率大于107欧·米） 静电场复习 一、电场强度 q d r P . 应用 (1) 延长线上的电场 (3) 一段半圆圆心的电场 (2) 圆轴线上的电场强度 解: 取电荷元dq，其矢径与x轴的交角为? 例：一电偶极子放在均匀电场中，当电偶极矩的方向与场强方向不一致时其所受的合力Ｆ和矩Ｍ为： ? （Ｂ） 例：一半径为Ｒ，长为Ｌ的带电圆柱面，其单位长度带电量为?,在带电圆柱的中?面上有一 点Ｐ，它到轴线距离为r,则Ｐ的电场强度的大小： 当rL时 当r＞＞L时 二 高斯定理应用 1. 均匀带电球面的电场 E R + + + + + + + + + + + + + + + + r q 高斯面 2、均匀带电球体的电场 3、电荷密度对称球体与柱体的电场 解: (1) (2) 作以r为半径的高斯面，高斯面内所包含的电量为： 由高斯定理： r 作以r为半径的高斯面，高斯面内所包含的电量为： 由高斯定理： r R 4. 无限长带电棒的电场 5. 均匀带电圆柱体内外的电场 6. 均匀带电无限大平面的电场 E σ S 高斯面 E 单位面积上的电量 如图设一薄导体板表面的电荷面密度为 用高斯定理求空间电场 单位面积上的电量 I II III x 以上假定电荷密度是正号,实际求解时要考虑正负号 7、厚度为a的无限大带电平板 空间的电场分布，其电荷体密度分布有两种情况： （1）密度均匀分布； （2）密度是x的函数。 a 如图所示,一厚度为a的无限大带电平板,其电荷体密度分布为? ? kx (0 ?x ? a)式中k 为正常数,试证明: (1) 平板外空间的场强为均匀电场,大小为 (2) 平板内 处E=0 据分析可知平板外的电场是均匀电场,作如图封闭圆柱面为高斯面 x 0 a x dx E S (2) xa x 0 a x E1 S 解: (1) 以O为对称点作垂直于平板平面的圆柱面为高斯面，设底面积为S，长度为2x，如图所示。 高斯面内所包含的电量为： 高斯面内所包含的电通量为： 由高斯定理： O Q P 设电荷密度均匀,求电场分布 对于Q点： 以Q为对称点作垂直于平板平面的圆柱面为高斯面，设底面积为S，长度为2xＱ 高斯面内所包含的电量为： 高斯面内所包含的电通量为： 由高斯定理： Q P 三 环流定理应用 a b 保守力场中引入电势的好处之一就是求电场力的功不需考虑过程,用初态势能减去终态势能就得电场力的功. 理论上,带电体不是无限大,通常选无穷远处为零势点 点电荷场中 连续带电体的电势 均匀带电球面 均匀带电球面在内部任一点产生的电势与表面处的电势相等 解: 取以r为半径，宽为dr的细圆环，带电量为 细圆环在o点的电势为d? R r 例求均匀带电圆盘中心的电势 求均匀带电球体中心的电势,方法同上 例：真空中有一半径为Ｒ的半圆细环，均匀带电Ｑ，如图所示，设无穷远处的电势为零，则0点处电势是多少？若将一带电量为q的点电荷 从无穷远处移到o点，电场力作多少功？ Ｒ O Q 答案： 例. 有一外半径R1，内半径为R2的金属球壳。在球壳中放一半径为R3的金属球，球壳和球均带有电量10-8C的正电荷。问：（1）两球电荷分布。（2）球心的电势。（3）球壳电势。 解： （r R3 ） （R3 r R2 ） 1、电荷+q分布在内球表面。 2、球壳内表面带电-q。 3、球壳外表面带电2q。 （R2 rR1 ） （r R1 ） R3 R2 R1 （2） （3） 用场强来描写： 1. 导体内部场强处处为零； 2. 表面场强垂直于导体表面。 导体中电荷的宏观定向运动终止，电荷分布不随时间改变。 用电势来描写： 1. 导体为一等势体； 2. 导体表面是一个等势面。 静电平衡条件： 导体上电荷分布的特点 有空腔 无空腔 腔内有电荷 腔内无电荷 导体的静电平衡 (1). 由高斯定理和电荷守恒定律： 外球