我国电子化学品的现状与发展前景-期刊.pdfVIP

我国电子化学品的现状与发展前景 (中国电子材料行业协会精细化工与高分子材料分会 吴坚) 近代电子工业是与化学过程密切相关的一个行业，需用大量的专用化学品，因而出现了电子化 学品行业，它亦成为电子行业日新月异发展的基础支撑。 20世纪90年代以来，随着信息技术越来越受到重视，发展速度之快超出了人们的预料。与之 相配套的电子化学品世界年均增长率保持在8％以上，是化工行业中发展最快的领域。预计2005年 世界电子化学品市场规模将超过300亿美元。 与世界水平相比，我国电子化学品还较落后，但近年来发展也较快。在目前全世界信息产业的 市场规模已突破2万亿美元的大背景下，据我国有关部门预测，“十五”计划期间我国信息产品制造 业的年均增长率将超过20％，受此影响，电子化学品的年均增长率也将超过20％。预计到2010年， 我国的电子化学品市场规模将超过200亿元，将成为化工行业中发展速度最快、最具活力的行业之 一。 一、现状 电子化学品的特点之一是品种繁多，较大的类别有光刻胶、FPD专用化学品、印刷电路板材料、 高纯试剂、电子特种气体、封装材料等，其中光刻胶、高纯试剂、电子特种气体、封装材料主要为 IC产业配套，FPD专用化学品为平板显示器配套。我国能工业化生产或能提供批量生产的品种近1000 种。 1光刻胶 离子柬等照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，经曝光和显影而使溶解度增加的是正 型光刻胶，溶解度减小的是负型光亥I胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫 外正型光刻胶、紫外负型光刻胶)、深紫外光刻胶、电子束胶、卜埘线胶和离子束胶等。 光刻技术是Ic工业发展的推动力，光刻过程是一个图形转移的工艺加工过程，光刻胶是该过程 中的唯一介质。通过电子束光刻胶，可将集成电路设计出的图形通过电子束直写技术制成掩模版， 然后再根据图形的线宽采用相应的光刻技术与配套的光刻胶将掩模版图形转移到基片(如硅片)上。 一般情况下，在图形转移工艺过程中，要对基片进行10多次曝光光刻才能形成最终的图形。由于每 次光刻的对象不同，要求的线宽不同，故所需的光刻胶也各不相同。目前集成电路制造工艺中采用 的主流技术是紫外线和深紫外线(即g线、i线、248rim)为光源的光刻技术。随着集成电路线宽 nm)--248nm。193M一哪(157 nⅢ)一i线(355 不断缩小，光刻技术的发展趋势为：g线(435 11m)，与之对应的是各类光刻胶的不断开发研制、生产。 u 近年来，国外248nm光刻胶己进入生产阶段，实用线宽0．25 um左右，可以满足1G随 光刻胶成膜树脂的研究进入实用阶段，193nm单层光刻胶分辨率可达0．15 机存储器的要求，并已有成熟的产品在4G集成电路制作中使用：157nm光刻胶是近年光刻胶研究的 热点，有可能在纳米级集成电路中应用，是未来光刻胶发展的新一代产品。此外，电子束胶极有可 能在集戒电路线宽降至纳米级时在规模生产中投入使用，目前国夕}电子束胶的研究水平已经达到了 0．07um的水平，其0．1um技术电子束胶已批量生产。 国际著名光刻胶生产公司 序号 公司名称 2002年世界市场份额 1 东京日化(日本) 27．0 2 合成橡胶(日本) 16．0 3 Sumitomo(日本) 9．8 4 SMpley(美国) 2I．0 5 Arch(美国) 9．6 6 Clarian