大尺寸TFT-LCD ECCP刻蚀工艺低耗整合.pdfVIP

第 29卷 第 1期 液 晶与显示 VoL29 NO．1 2014年 2月 ChineseJournalofIiquidCrystalsandDisplays Feb．2Ol4 文章编 号 ：1007—2780(2014)01—0007—08 大尺寸 TFT—LCDECCP刻蚀工艺低耗整合 张定涛 ，李文彬 ，姚立红 ，郑云友 ，李 伟 ，袁 明 (1．北京林业大学，北京100083；2．北京京东方显示技术有限公司，北京100176) 摘要 ：为简化大尺寸液晶面板 四次光刻法的刻蚀工艺、减少有毒气体使用、降低射频功率消耗 ，在 2200mm×2500mm 大尺寸玻璃上 ，采用正交实验设计 ，验证 了功率、气压、反应气体和 比例等参数对各刻蚀步骤刻蚀速率、均一性和选择 比 的影响关系，从而得到各膜层的最佳丁艺条件 。在 EnhanceCathodeCouplePlasmaMode(ECCP)刻蚀模式下，采用新刻 蚀条件合并薄膜晶体管有源区非晶硅、光刻胶、湿刻后源极和漏极剩余金属钼以及沟道非晶硅层干法刻蚀。利用扫