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三、场效应管管的伏安特性曲线：(共源极电路) 由于输入电阻比较大，电流约等于零，所以输入特性曲线不用研究，但是输入电压（VGS）对输出电流有控制作用，所以我们研究转移特性曲线。 u G S / V 0 － 1 － 2 － 3 1 2 3 4 5 I DSS U GS off i D / mA 为了使输入阻抗大(不允许出现 栅流iG)，也为了使栅源电压对 沟道宽度及漏极电流有效地进行 控制，PN结一定要反偏，所以在 N沟道JFET中，uGS必须为负值。 1、转移特性曲线： 2、输出特性曲线： N 型 沟 道 D G S p+ p+ UDS UGS VDS增加，电流增大 VDS 达到Vp时，予夹断ID不变 VDS增加， VDG增加，击穿 1 2 3 4 i D / mA 0 10 20 u D S / V -2V -1.5V -1V 5 15 0V -0.5V 1 2 3 4 i D / mA 0 10 20 u D S / V -2V -1.5V -1V 5 15 0V -0.5V 四、JFET的特性曲线的三个工作区： 1、可变电阻区： VDS增大，电流线性增加VGS不同，斜率不同，即R不同。 2、饱和区（线性放大区、恒流区 VDS增大，电流ID不变。放大原理不同于BJT。 3、击穿区： VDS增大到某值时，方向击穿 4、截至区： VGS VP 时，ID＝0 。 由输出特性画转移特性 N 型 沟 道 D G S p+ p+ 对于结型场效应管，Ii≈0 ，Ri也很大，可高达107Ω。但是仍然存在方向饱和电流，即Ri还不够大，下面介绍另一种Ri更大的场效应管，MOSFET，其Ri可高达109 Ω。 §1.4.2 ：绝缘栅型场效应管 一、绝缘栅型场效应管管的名称及分类： 金属－氧化物－半导体场效应管、MOSFET MOSFET 分类： 1、导通沟道： 2、工作原理： N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 二、MOSFET 的组成结构：（ N沟道 增强型） 源极 栅极 漏极 氧化层 ( SiO 2 ) B W P 型衬底 N + N + L 耗 尽 层 铝层 S G D S G D N + N + P 型硅衬底 绝缘层 衬底引线 B 半导体 铝极 SiO2 绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 (a)立体图； (b)剖面图 D S G B N沟道增强型MOSFET逻辑符号 二、增强型MOSFET 的工作原理： S G D N + N + P 型硅衬底 B 1、VGS的控制作用： VGS＝0 无导通沟道，无电流 VGSVT 形成反型层从而产生感生沟道。 （VDS＝0） 2、VDS的控制作用： （VGS 0） 开始，ID增大，单到使得VGD＝VT时予夹断，不变继续增加则反向击穿。 三、CMOSFET的伏安特性曲线：(共源极电路) 1、转移特性曲线： i D / mA 0 U T u G S / V (a）转移特性 2、输出特性曲线： i D 0 u D S U GS ＝ 6V 截止区 4 V 3 V 2 V 5 V 可 变 电 阻 区 恒 流 区 区 穿 击 (b）输出特性 * * 第一章 半导体的基础知识 半导体 本征半导体 杂质半导体 光敏特性 热敏特性 掺杂特性 T=0K 本征激发 N型半导体 P型半导体 PN结（…） 第二节：PN结的形成及特性 1、PN 结的形成 ： 最终扩散和漂移达到动态平衡 PN结形成 （势垒区、耗尽层、空间电荷区、阻挡层） P N （扩散作用＝漂移作用） 浓度差 多子扩散 产生内电场 少子漂移 P N + - E E内 P N - + E E内 2、PN 结的特性 ： 单向导电性 3、PN 结的伏安特性曲线： O uD /V iD /mA Uth IS U (BR) 第三节：半导体二极管 将PN结用管壳封装，再加上引线就构成了实际使用的二极管。 1、二极管的特性曲线： 与PN结的曲线相同，对于Si 和Ge材料的参数值略有不同 门坎电压： 反向电流： 热稳定性： 2、二极管应用： A、开关 ； B、整流 C、稳压 D、发光 Si 为0.5V，Ge 为0.1V 导通电压： Si 为0.7V，Ge 为0.2V Ge Si Si比Ge强 O uD /V iD /mA Uth IS U (BR) - R + UR + - us 半波整流电路 全波整流电路 利用反向击穿特性稳压 P N 半导体二极管 （单向导电性） N N P 半导体三极管 （开关、放大） 一、半导体三极管的名称及分类： 根据晶体管的结构组