项目六直流稳压电源的设计与制作.pptVIP

饱和导通条件： + ? Rc Rb +VCC +12V + uo ? iB iC T uI 3V -2V 2 k? 2.3 k? ≤ 因为 所以 6.4.4 双极型三极管的极限参数 电流放大倍数 极限参数 ①集电极最大允许电流ICM UCE / V IC /mA 0 IB=0 4 3 2 1 1.5 2.3 ②反向击穿电压U(BR)CEO c e b UCC U(BR ) CEO 基极开路 指基极开路时集电极与发射极间的反向击穿电压。 使用中若超过此值,晶体管的集电结就会出现雪崩击穿。 Β值的大小反映了晶体管的电流放大能力。 ICICM时，晶体管不一定烧损，但β值明显下降。 ③集电极最大允许功耗PCM 晶体管上的功耗超过PCM，管子将损坏。 安 全  区 例4： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 例5： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q