电力电子技术第1章 电力半导体器件.pptVIP

图 1.40 IGBT的安全工作区 1.6.3 IGBT对驱动信号的要求 由于 IGBT是以 MOSFET为输入级，其栅极特性与 MOSFET相同，具有与功率 MOSFET相似的输入特性和高输入阻抗，故驱动电路相对比较简单，驱动功率也比较小。 1）充分陡的脉冲上升沿和下降沿：前沿很陡的栅极电压加到G-E极间，可使IGBT快速开通，减小开通损耗；后沿足够陡的关断电压，并在G-E极间加一适当的反向偏压，有助于IGBT快速关断，缩短关断时间，减少关断损耗。 2）足够大的驱动功率：IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率及电压、电流幅值，使IGBT总处于饱和状态，不因退出饱和而损坏。 3）合适的正向驱动电压UGE：在有短路过程的设备中，建议选用UGE=15V±10% 。 4）合适的负偏压：在关断过程中，为尽快抽取PNP管的存储电荷，缩短关断时间，需施加负偏压-UGE，同时还可防止关断瞬间因du/dt过高造成误导通，并提高抗干扰能力。  2）饱和压降特性 GTR的饱和压降，有e-c极间饱和压降UCES和b-e极间饱和压降UBES。在大功率应用中，UCES和UBES是两个重要指标，直接关系到器件的导通功耗。它们并非是一个常数，而是随管壳温度Tc和集电极电流Ic增大而变化，如图1.22所示。 （2）动态特性 动态特性主要描述GTR开关过程的瞬态性能，常用开关时间来表示其优劣