多晶硅还原加压工艺研究.PDFVIP

，2012 ，26 ( 3) : 160 ～ 163 · 工艺 装备 SILICONE MATERIAL  多晶硅还原加压 工艺研究 * 何 大伟 ，杜兴蓉，唐猷成 ，蒲晓东 ( 四川新光硅业科技有 限责任公司 ，四川乐 山 614000) 摘要: 为了降低 多晶硅 生产成本 ，对 多晶硅 生产 中的重要环 节———三氯氢硅 ( SiHCl ) 还原 生成多 晶 3 硅工艺进行 了改进，将还原炉操作压力由常压提高 至 0. 6 MPa ，比较 了加压 工艺与常压工艺在 多晶硅的 沉 积速度 、沉积时间、还原反应耗 电量以及多 晶硅产品质量等指标上 的 区别 。结果表明 ，还原炉压力由常压 ( 0. 1MPa) 提高 至 0. 6 MPa 、H2 和 SiHCl3 的量之 比降低 至 3. 5 ～ 5 / 1、SiHCl3 和 H2 混合 气的最大流量增加 至 2 000 kg / h 、平均供 气量 约 为 980 kg / h 时， 多 晶硅 的 沉 积 时 间 由 200 h 缩 短 至 100 h; 沉 积 速 度 由 7 ～ 8 kg / h提高到 20 kg / h ，提高 了 150% 以上; 反应所需的单位耗 电量也从 135 kWh / kgSi 降到 75 kWh / kgSi ， 降幅达 44 % ，从 而大幅降低 了多晶硅的 生产成本; 同时，产品质量也得到极 大的提升 。 : ， ， ， ， ， ， 关键词 改 良西门子法 多晶硅 三氯氢硅 耗 电量 还原炉 氢气 加压 中图分类号: TQ264. 1 + 1 文献标识码: A 文章编号: 1009 － 4369 ( 2012) 03 － 0160 － 04 目前 ，国际上生产多晶硅的工艺 以改 良西 门 长到 130 mm 左右时的沉积时间控制在 120 h 内， 子法 和 硅 烷 法 为 主 ［1］，其 中改 良西 门子 法 占 多晶硅沉积速度提高到 20 kg / h 以上 ，还原反应 70% ～ 80% ［2］。此法技术成熟 、运行安全可靠 、 耗 电量降至 80 kWh / kgSi 以下 。比较 了加压工艺 投资风险小 。但改 良西 门子法 的还原反应采取常 与常压工艺在多晶硅的沉积速度 、沉积时间、还 压 、小流量 、高原料配比 ( H2 和 SiHCl3 的量之 原反应耗 电量以及 多 晶硅 产 品质量等 指标 上 的 ［3］ 比为 8 ～ 10) 工艺 。该工艺 的缺点是沉积速度 区别 。 慢 ，导致生产周期长 、耗 电量大 。改 良西 门子法 1 试验 生产多晶硅属于高能耗产业 ，电力成本 占总成本 40% ～ 70% ［1 ，4］ ， 1. 1 主要