第14章-湘潭大学-传感器原理-课件-传感器期末复习.pptVIP

* 在萤石结构中为了形成稳定的八面体结构，晶体中的阳离子半径与阴离子半径的比值应大于0.732，而锆氧离子半径比为0.564。 萤石结构 其中Zr4+占据氧八面体空隙使结构保持松弛状态，因此O2-可以扩散、迁移。 由于立方相ZrO2仅在高温时存在， 2700℃下熔融，在熔融二氧化锆中通过添加适当的2价、3价离子可以获得室温下稳定存在的立方相,正方晶型，具有莹石结构。 常用的稳定剂离子为Ca2+，Mg2+，Y3+以及其他三价稀土离子。稳定剂可以使其亚稳态存在于室温下。 * 固体电解质是具有离子导电性能的固体物质。一般认为，固体物质(金属或半导体)中，作为载流子传导电流的是正、负电子。可是，在固体电解质中，作为载流子传导电流的，却主要是离子。二氧化锆（ZrO2）在高温下(但尚远未达到熔融的温度)具有氧离子传导性。 在熔融二氧化锆中添加氧化钙、三氧化二钇、氧化镁等杂质后，成为稳定的正方晶型，具有莹石结构，称为稳定化二氧化锆。由于杂质的加入，在二氧化锆晶格中产生氧空位，其浓度随杂质的种类和添加量而改变，其离子电导性也随杂质的种类和数量而变化。 * 在二氧化锆中添加氧化钙、三氧化二钇等添加物后,其离子电导都将发生改变。 5 10 15 20 1 2 3 4 Yb2O3 Y2O3 CaO 氧化物添加量/% mol ZrO2中杂质含量与电导关系 离子电导lgα/Ω-1cm-1 尤其是在氧化钙添加量为15％mol左右时,离子电导出现极大值。但是，由于二氧化锆一氧化钙固溶体的离子活性较低，要在高温下，气敏元件才有足够的灵敏度。 添加三氧化二钇的ZrO2－Y2O3固溶体，离子活性较高，在较低的温度下，其离子电导都较大。因此，通常都用这种材料制作固定电解质氧敏元件。添加Y2O3的ZrO2固体电解质材料，称为YSZ材料。 * ZrO2系固体电解质的离子电导与温度关系 5 600 800 1000 1200 10-1 10-2 10-3 10-4 1 2 3 4 6 7 t /℃ 离 子 电 导/Ω-1 cm-1 1 添加8%molYb2O3 ；2 ZrO0.92 SC2O30.04 Yb2O30.04 3 ZrO2 ；4 添加10%molY2O3 ；5 添加13%molCaO 6 添加15%molY2O3 ；7 添加10%molCeO * 空气 多孔陶瓷 ZrO2+Y2O3 Pt 可以利用此控制汽油或进气供给量，以便调整空燃比在理论空燃比附近，达到节油，降低排气中的NOX，CO，等有害气体成分。 * 200 400 600 800 1000 1200 0.84 0.92 1 1.08 1.16 mv 370℃ 750℃ 815℃ 燃料过剩 空气过剩 空燃比 * 14-2-5 非电阻式半导体气体传感器 表面电流变化型气敏传感器 M(metal)O(oxide)S(semiconductor)场效应的结构和等效电路如图（金--半接触二极管）原理是肖特基势垒二极管。 P--Si 钯金属膜 SiO2 P型Si COX CS C V MOS结构的C—V特性 吸H2 后 未吸H2时 1） MOS二极管气敏传感器原理图 * 金属和半导体的接触势垒 金属和半导体接触时，在交界面的半导体一侧出现的势垒为肖特基势垒，它具有整流作用。用真空蒸发和溅射方法在半导体表面沉淀金属，或者用金属针轻轻的接触半导体表面，均能形成肖特基势垒。 考虑功函数为ΦM的金属和功函数ΦS的N型半导体的接触。下图为金属和N型半导体接触的能带。 金属 eVD Ec Ef Ev * 电子从电子系统的平均势能较高的半导体流向金属一侧。这样就在半导体一侧积累起电子离开施主产生的正空间电荷，而在金属表面则积累起负电荷。这一空间电荷形成的势垒升高到使电流恰好为零时，便达到平衡状态，这时金属和半导体系统内费米能级处于同一水平。 从半导体一侧来看，在半导体表面形成的肖特基势垒高度eVD为： * VD称为扩散电势，在该势垒内存在着正空间电荷，电子是处于耗尽状态。所以，通常把存在势垒的区域称为空间电荷层或耗尽层。从金属一侧看到的势垒高度ΦSB可以用下式给出，即： 式中xs为半导体的电子亲和能。ΦSB几乎与外加电压无关。 因此，它就是决定金属和半导体接触势垒高度的基本物理量。 * 在热平衡状态，电子通过肖特基势垒由N型半导体流进金属形成电流Jsm，与此相反，电子由金属流向N型半导体形成电流Jms，二者方向相反而大小相等，所以总电流为零。然而加上一个N型半导体一侧为负电压，而金属一侧为正电压Vs时，由肖特基势垒的半导体一侧看到的势垒高度就变成了eVd-eVs。从而电流Jsm增大了. Vs变化，所以Jms仍和平衡情况一样。于是JsmJms。另一方面如在半导体一侧加正向偏压，则势垒