哈工大_半导体物理__课件第七章.ppt

第7章 金属和半导体的接触 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.1 金属和半导体的功函数 金属功函数 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.1 金属和半导体的功函数 关于功函数的几点说明: ① 对金属而言, 功函数Wm可看作是固定的. 功函数Wm标志了电子在金属中被束缚的程度. 对半导体而言, 功函数与掺杂有关 ② 功函数与表面有关. ③ 功函数是一个统计物理量 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.1 金属和半导体的功函数 半导体功函数 电子亲和能 故 其中 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.1 金属和半导体的功函数 半导体功函数与杂质浓度的关系（见表7-1 ） ? n型半导体: WS=χ+(EC-EF) ? p型半导体: WS=χ+[Eg-(EF-EV)] 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.2 接触电势差 金属与n型半导体接触为例（WmWs） 接触前 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.2 接触电势差 金属和半导体间距离D远大于原子间距 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.2 接触电势差 随着D的减小 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.2 接触电势差 若D小到可以与原子间距相比较 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.2 接触电势差 若WmWs，半导体表面形成正的空间电荷区，电场由体内指向表面，Vs0，形成表面势垒（阻挡层）。 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.2 接触电势差 若WmWs，半导体表面形成负的空间电荷区，电场由表面指向体内，Vs0。形成高电导区（反阻挡层）。 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.3表面态对接触电势的影响 实验表明：不同金属的功函数虽然相差很大，但与半导体接触时形成的势垒高度却相差很小。 原因：半导体表面存在表面态。 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.3表面态对接触电势的影响 表面态分为施主型和受主型。表面态在半导体表面禁带中呈现一定分布，表面处存在一个距离价带顶为qФ0的能级。电子正好填满qФ0以下所有的表面态时，表面呈电中性。若qФ0以下表面态为空，表面带正电，呈现施主型；qФ0以上表面态被电子填充，表面带负电，呈现受主型。对于大多数半导体，qФ0越为禁带宽度的三分之一。 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.3表面态对接触电势的影响 若n型半导体存在表面态，费米能级高于qФ0，表面态为受主型，表面处出现正的空间电荷区，形成电子势垒。势垒高度qVD恰好使表面态上的负电荷与势垒区的正电荷相等。 7.1 金属半导体接触及其能级图7.1.3表面态对接触电势的影响 存在表面态即使不与金属接触，表面也形成势垒。 当半导体的表面态密度很高时，可以屏蔽金属接触的影响，使半导体内的势垒高度和金属的功函数几乎无关，有半导体表面性质决定。 7.2金属与半导体接触的电流－电压特性7.2.1整流特性 电导的非对称性（整流特性） 在某一方向电压作用下的电导与反方向电 压作用下的电导相差悬殊的器件特性 首要条件：接触必须形成半导体表面的阻挡层 （形成多子的接触势垒） 7.2金属与半导体接触的电流－电压特性7.2.1整流特性 （1）V=0 半导体接触表面能带向上弯，形成n型阻挡层。当阻挡层无外加电压作用，从半导体流向金属的电子与从金属流向半导体的电子数量相等，处于动态平衡，因而没有净的电子流流过阻挡层。 7.2金属与半导体接触的电流－电压特性7.2.1整流特性 （2）V0 若金属接电源正极，n型半导体接电源负极，则外加电压降方向 由金属指向半导体，外加电压方向和接触表面势方向相反，使 势垒高度下降，电子顺利的流过降低了的势垒。从半导体流向 金属的电子数超过从金属流向半导体的电子数，形成从金属流 向半导体的正向电流。 7.2金属与半导体接触的电流－电压特性7.2.1整流特性 （3）V0 当电源极性接法反过来，金属接正极，半导体接负极，外加电 压方向和接触表面势方向相同，势垒高度上升，从半导体流向 金属的电子数减少，而金属流向半导体的电子数占优势，形成 从半导体流到金属的反向电流。 7.2金属与半导体接触的电流－电压特性7.2.1整流特性 当势垒宽度大于电子的平均自由程，电子通过势垒要经过多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。 针对n型阻挡层，电流J与外加电压V的关系 7.2金属与半导体接触的电流－电压特性7.2.1整流特性 当V0时，若qVk0T，则 当V0时，若|qV|k0T，则 该理论是用于迁移率较小，平均自由程较短的半导体，如氧化亚铜。 7.2金属与半导体接触的电流－电压特性7.2.1整流特性 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度。