SiC基反向开关晶体管关键技术及应用基础研究.pdfVIP

SiC基反向开关晶体管关键技术及 应用基础研究 ，2014-2017 ，梁琳，华中科技大学 内容提要  项目立项时的研究内容和目标  已取得的研究进展和有待解决的问题  成果概要  项目执行中的体 2 反向开关晶体管 RSD——Reversely switched dynistor  基于可控等离子层换流;  芯片全面积均匀同步开通;  开关损耗小;  开关特性好，可获得几百kA大电流、几十kV高电压、 MW至GW峰值功率和高达100kA/µs的di/dt耐量。 3 Si RSD研究成果 RSD堆体 基于RSD的脉冲发生平台 单脉冲, 12kV, 173kA, 32C 重复频率 Why SiC?  高绝缘击穿场强 高耐压单只器件  高本征温度 更好的重频特性  高热导率 材料参数 Si 4H-SiC 击穿电场(MV/cm) 0.3 3 室温间接带隙宽度(eV) 1.12 3.26 热导率(W/cm/K) 1.5 4.9 5 主要研究内容和目标 研究内容  反向注入控制电荷理论与SiC RSD导通机理研究 建立适用于SiC RSD的临界预充电荷理论，分析SiC RSD在脉 冲放电环境下的导通机理，研究由晶闸管式开通转变为雪崩击 穿引起反向注入可控等离子体开通器件的原理，探索SiC RSD 全面积均匀快速导通、减小脉冲前沿残余电压突升、协调大电 流与高di/dt的方法。  NPN 型SiC RSD结构优化设计 以SiC材料基本特性为基础，提出SiC RSD器件结构。优化设 计漂移区厚度及浓度，以充分发挥SiC材料高绝缘击穿场强优 势，折中SiC RSD开通前沿动态特性与准静态特性。确定阳极 交替排列元胞特征尺寸，以满足预充等离子体均匀分布要求。 合理设计结终端台面造型。 6 主要研究内容和目标 研究内容 SiC RSD芯片制造的若干关键工艺研究 阳极P+和N+小单元交替排列结构、阳极多元胞结构的选 择性干法反应离子刻蚀、离子注入及退火、稳定可靠欧姆 接触电极的制备、台面造型及表面钝化等。 SiC RSD特性测试与评价 高速开通与关断的动态特性测试，深入分析主要电学参数与温 度的关系，研究包括电流集中、台面损坏、钝化层过热等可能 因素引起的器件失效，比较SiC RSD与Si RSD开关的电流上升 时间、重复频率、峰值电流与脉宽等参数。 7