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半超结SiGe功率开关二极管的研究 项目批准号 项目执行期：2012-2015 项目负责人：高 勇 项目单位：西安理工大学 本报告主要内容： • 项目研究背景和内容 1 • 项目主要工作 2 • 项目结论及成果概要 3 • 项目体会及展望 4 2016/9/27 1.项目研究背景和内容 在高频电力电子应用中，要求功率二极管 具有高耐压、低导通、快速软恢复特性， 硅功率二极管特性逼近了物理极限。 SiGe 的迁移率比Si 的高，SiGe二极管的反 向恢复特性优于Si的PiN二极管。(前期工作) 超结的出现缓解了击穿电压和导通电阻的矛盾， 但其制作难度大。本项目提出一种半超结SiGe 功率二极管结构，提高了快速软恢复特性，同 时降低了工艺难度。 在半超结SiGe功率二极管的基础上，我们 又提出了一种阴极抽取型结构CE-SJ二极管 结构，进一步提升了器件的特性。 2016/9/27 研究内容：  建立半超结SiGe功率开关二极管的器件模型 和工艺模型，为新器件特性优化和工艺设计提 供可靠的模拟手段。  优化半超结SiGe功率开关二极管的器件结构 参数，提供相应的工艺方案。  投片试制半超结SiGe功率二极管，进行封装 测试。 2016/9/27 PiN二极管 SJ二极管 Semi-SJ二极管 CE-SJ二极管 功率二极管结构演变 2016/9/27 2. 项目主要工作 器件仿真 器件设计 流片验证 器件物理模型建 确定结构 动态特性 立和特性仿真 参数 测试 确定工艺 静态特性 器件工艺仿真 方案 测试 已完成已完成 2016/9/27 2.1 器件特性仿真 1）半超结SiGe二极管 与常规PiN二极管相比， 半超结结构将i区耐压 层替换为相间的N/P柱 和底端辅助层。 半超结SiGe二极管结构示意图 2016/9/27 反向恢复特性仿真 反向恢复时间较 SiGe-PiN二极管 减小约40% 反向恢复峰值电 流较SiGe-PiN二 极管减小30% 软度因子几乎 不变 反向恢复特性仿真结果对比 2016/9/27 反向阻断特性仿真 在相同的结构参数下， 半超结SiGe二极管反向 阻断电压较SiGe-PiN 二 极管可提升约一倍