模拟1-4-1 三极管.pptVIP

第五节 晶体三极管 §1-5-1 晶体三极管的结构及类型 一、关于结构： 晶体三极管又称为双极型晶体管，简称晶体管，三极管等，一般由两个背靠背的PN结构成，根据这两个PN结的排列方式不同，三极管分为NPN型和PNP型两种。 我们用图形来说明这两种类型的三极管的结构： 晶体三极管又称双极型晶体管(BJT)，一般由两个背靠背的PN结构成，根据这两个PN结的排列方式不同，三极管分为NPN型和PNP型两种。 不管是NPN型还是PNP型都分为： 三个区：发射区、基区、集电区 制做时在这三个区各引出一个电极，命名为：发射极E、基极B、集电极C。 这三个区构成两个PN结，其中： 发射区与基区形成发射结，用Je表示； 集电区与基区形成集电结，用Jc表示。 二、种类和符号： 晶体管的制做工艺很多也很复杂，常见的有：掺杂、光刻、扩散等，而且常见的晶体管种类都是平面型管。 晶体管的三个区由于掺杂工艺的不同，可形成两种类型的管子。 第一种为NPN型：即由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体的管子称为NPN管。 第二种为PNP型：即由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体的管子称为PNP管。 这两种管子在电路的符号为：（要求牢记） 三、晶体三极管的三种连接方式： 晶体三极管为三端器件，接入电路中要成为双口网络，因此，就必有一个电极作为输入口和输出口的公共端，因此，三极管接入电路中就有以下三种连接方式： 共发射极接法： Ib为输入电流，Ic为输出电流， 而且： Ic = F( IB ) 共基 极接法 : Ic = F( IE ) 共集电极接法 : IE = F( IB ) NPN型管的三种接法： 共发射极接法 共基极接法 共集电极接法 四、晶体三极管的主要特性： 与二极管不同， 晶体三极管的主要特性与它的三种工作模式或工作状态有关： ⒈ 放大模式： 此时,晶体管的 JE 正偏，JC 反偏 。这一模式主要表现为正向受控作用，即：晶体三极管的集电极电流和发射极电流只受正偏发射结电压的控制，而几乎不受集电结反偏电压的控制。 这种作用首先表现为电流放大。其次表现为电压放大，（电压放大是由电流放大转换而来的）。 ⒉饱和模式： 此时管子工作在 JE 和 JC 均正向偏置状态。 ⒊截止模式： 此时管子工作在 JE 和 JC 均反向偏置状态。 后两种状态呈现受控开关特性，是实现开关电路的基础。 §1-5-2 放大模式下三极管的工作原理 在放大模式下，三极管的主要作用是放大作用，这种放大作用不是一般的放大，它具有以下两方面的含义： ① 是放大的对象是变化量 ② 是指对能量的控制作用的放大，即能量的放大。 为定性说明这一正向控制作用的实现，现以NPN管的简单共射放大电路为例，着重阐述工作在放大模式下的晶体管内部载流子的传输过程。 工作在放大模式下的晶体管内部载流子的传输过程。 一、三极管内部载流子的传输情况 ① 在发射区：向基区发射电子的情况： 发射结Je正向偏置，扩散运动为主流，阻挡层变窄，则发射区的多子（电子）源源不断地越过发射结到达基区，同时，基区的空穴（多子）也会扩散到发射区，成为发射区的非平衡少子，这两种多子产生的扩散电流分别记为： IEN和 IEP 此时，IEN 和 IEP方向相同， 但由于基区低掺杂且薄，所以有： IEP IEN Je正偏： VB VE， Je中的扩散运动 漂移运动 在忽略IEP的情况下，Je中的扩散运动形成了IE。 结论： →→发射区的电子源源不断越过PN结到达基区形成 IEN →→基区的空穴电子源源不断越过PN结到达发射区形成 IEP 则：发射极电流 IE = IEN + IEP ≈IEN ( IEP IEN ) ② 电子在基区扩散和复合的情况： IBN = IEN – ICN ， IB=IBN + IEP - ICBO ③ 电子被集电结收集的情况： IC = ICN + ICBO 三极管的两个PN结中，由于Je正偏，Jc反偏，就形成了既有电子的流动，又有空穴的流动，就把这种类型的管子称为双极型三极管。 由于两种载流子的运动，在晶体管的三个电极形成以下电流关系： 在E极：IE= IEN + IEP （1 ） 在C极：IC= ICN + ICBO （2 ） 在B极：IB = IBN + IEP - ICBO （3 ） 其中 ICBO 是集电结 Jc 的反