电化学腐蚀多孔硅光致发光特性及意义研究.pdfVIP

中文摘要 引起足够重视。多孔硅具有独特的物理微结构和显著的量子限制效应，以及与现有 Si工艺兼容。多孔硅光致发光的发现意味着全硅基光电集成的可能，具有极其重要工 业应用潜力。目前，人们对多孔硅的形成机理、发光现象以及在技术上应用的可能性 做了很多有意义的工作。经过阳极氧化处理后得到的多孔硅能发射较强的近红外、可 见和近紫外光，而人们最关注的仍然是多孔硅在整个可见光波段的发光。我们实验中 采用直流电化学腐蚀的方法在不同腐蚀条件下制备了多孔硅样品，研究了其结构和可 见光波段的发光特性。 利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光(PL)特性。用扫描电子显微镜 。 ； (SEM)和原子力显微镜(AFM研究了多孔硅的表面形貌。利用傅立叶变换红外 ； 光谱(FTIR)测试了PS内部的化学成键情况。 在其它腐蚀条件不变的情况下，改变腐蚀电流密