电化学腐蚀多孔硅光致发光特性及意义研究.pdfVIP

中文摘要 引起足够重视。多孔硅具有独特的物理微结构和显著的量子限制效应，以及与现有 Si工艺兼容。多孔硅光致发光的发现意味着全硅基光电集成的可能，具有极其重要工 业应用潜力。目前，人们对多孔硅的形成机理、发光现象以及在技术上应用的可能性 做了很多有意义的工作。经过阳极氧化处理后得到的多孔硅能发射较强的近红外、可 见和近紫外光，而人们最关注的仍然是多孔硅在整个可见光波段的发光。我们实验中 采用直流电化学腐蚀的方法在不同腐蚀条件下制备了多孔硅样品，研究了其结构和可 见光波段的发光特性。 利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光(PL)特性。用扫描电子显微镜 。 ； (SEM)和原子力显微镜(AFM研究了多孔硅的表面形貌。利用傅立叶变换红外 ； 光谱(FTIR)测试了PS内部的化学成键情况。 在其它腐蚀条件不变的情况下，改变腐蚀电流密度。SEM观察到，电流密度较小 时，腐蚀初期形成的凹坑数较少，相邻孔之间的孔壁较厚，即硅线较粗。随着氧化电 流密度增加，相邻孔之间的孔壁变薄，硅晶粒线度变小。AFM图观察到在多孔硅的 表面存在明显的类似“小山状”的硅柱，顶部较尖。随着腐蚀电流的增加，孔洞分布 密度变稠，这表明更多的Si被腐蚀掉。PL谱测试表明，在可见光波段，我们的样品存 nnl。380 在3个发光峰，即360nln，380nrn和470 nlll的发光来自于PS的表面态中空穴 nIn处的发光 电子复合。360nnl处的发光被认为与PS表面氧化而形成的Si02有关。470 ： 与阳极腐蚀脱落碳与Si反应形成的SiC有关。电流密度的改变并没有引起380nm处峰 calm‘、 位的蓝移或者红移。FTIR谱测试存在3个明显的吸收峰位，它们分别位于610 cm～。610 cm-1 734锄-1和1110cmo的吸收峰来自于多孔硅中的Si—S“中缩振动峰，734 的红外吸收峰归因于S∽的振动(Sil一。C。，x0．5)，1110cm一的吸收峰由于多孔硅表 面氧化形成的Si02中的Si．O．Si反对称伸展振动模式。腐蚀电流密度过大，腐蚀液会对 mA／cm2。 si表面形成一种抛光作用，在我们的实验中得到的最佳腐蚀电流密度为50 当腐蚀液的浓度和腐蚀电流密度不变，改变腐蚀时问。从AFM形貌图可以看出， nm处的紫峰峰强度随腐蚀时间 多孔硅的孔隙率增加，从而造成表面态的增加，380 的延长明显增强。继续增大腐蚀时间，多孔硅表面出现抛光现象。从我们的实验得出， min。 当腐蚀电流为50mA／cm2时，最佳的腐蚀时间是30 IV 在一定的条件下腐蚀得到PS，随着放置时间的增加，表面的氧化硅层增厚，表 面氧化的PS结构R趋稳定，缺陷密度相对降低，使得与缺陷有关的辐射复合减少。 在相同的电流密度和阳极氧化时间的条件下，