第四节半导体的导电性.pptVIP

图12-4 1 2 3 4 1-轻掺杂n型 2-较强掺杂n型 3-较轻掺杂p型 4-较强掺杂p型 ND或NA升高，RH下降，RH～T 变化规律一样 4、 霍耳效应的应用 得到半导体材料的重要物理性质: ?导电类型; ?载流子浓度 (掺杂浓度, 杂质电离能, 能隙宽度); ?讨论散射机理: Hall迁移率μH和电导迁移率μ的比较 Hall器件: VH = RHIXBZ / d * * 我们在这一章中除了强电场效应这一节内容，其他内容都是基于以下三个假设： 半导体样品上的温度处处相等都是均匀的，没有温度梯度存在； 为了改善半导体材料的性质，我们所使用的半导体并不是本征半导体，往往掺入其他元素。在这里我们认为样品是均匀掺杂的。 半导体材料所处的电场是弱电场。一般这个电场是不是弱场的标准是看是不是小于10的三次方。 通过以上三个假设，我们讨论起来就比较容易，物理模型更加清楚。当然在现实中，这样理想的样品从严格的意义上讲，我们并不能得到。但是可以近似地认为样品就是这样理想化的。如果想再进一步分析，就可以在理想结果的基础上再进行修正得到更加接近真实的规律结果。 * 下面我们来学习第一节载流子的漂移运动。在这一节里我们先看载流子在有电场和没有电场存在不同的运动方式，引出重要的概念迁移率，