电子材料工学（唐子龙）提纲.pdfVIP

提纲提纲 互连互连 电介质介质 铜互连和low-k电介质 电子材料工学-半导体材料 1 Back-end技术技术 集成电路的后端工艺包括：互连和电介质 早期结构 • 更多金属层增加芯 片速度和功能 • 互连分成局部连接互连分成局部连接 层和整体连接层 • 后端工艺日益重要， 成为限制成为限制芯片速度片速度 的重要因素 现在结构 电子材料工学-半导体材料 2 互连互连 电子材料工学-半导体材料 3 互连发展互连发展 电子材料工学-半导体材料 4 互连速度互连速度 （（II）） L 互连的电阻： R  WH WL HL 互连的电容：    C K K ox o x ox o L ox S 22 1 1 时间延迟时间延迟：  00.8989KK KK  LL ((  )) K 为修正系数 L I ox o I Hx WL ox S 电子材料工学-半导体材料 5 互连速度互连速度 （（IIII）） FFminmin表示最小特征尺度表示最小特征尺度 电子材料工学-半导体材料 6 接触接触Contact 早期都是硅和铝接触 铝的优