2.3光电二极管.ppt

2.3 光电二极管 按材料分为：硅光电二极管、锗光电二极管、砷化镓、锑化铟光电二极管 国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。 2CU系列以N-Si为衬底， 2DU系列以P-Si为衬底，2CU系列光电二极管只有两个引出线， 而2DU系列光电二极管有三条引出线，除了前极、后极外，还设了一个环极。2DU管加环极的目的是为了减少暗电 流和噪声。 2DU管加环极的目的 光电二极管的受光面一般都涂有SiO2防反射膜，而SiO2中又常含有少量的钠、钾、氢等正离子。 SiO2是电介质，这些正离子在SiO2中是不能移动的，但是它们的静电感应却可以使P-Si表面产生一个感应电子层。 这个电子层与N-Si的导电类型相同，可以使P-Si表面与N－Si连通起来。 当管子加反偏压时，从前极流出的暗电子流，除了有PN结的反向漏电子流外，还有通过表面感应电子层产生的漏电子流，从而使从前极流出的暗电子流增大。 为了减小暗电流，设置一个N+-Si的环把受光面（N-Si）包围起来，并从N+-Si环上引出一条引线（环极），使它接到比前极电位更高的电位上，为表面漏电子流提供一条不经过负载即可达到电源的通路。 这样，即可达到减小流过负载的暗电流、减小噪声的目的。 如果使用时环极悬空，除了暗电流、噪声大些外，其它性能均不受影响。 2CU管子，因为是以N-Si为衬底，虽然受光面的SiO2防反射膜中也含有少量的正离子，而它的静电感应不会使N-Si表面产生一个和P-Si导电类型相同的导电层，从而也就不可能出现表面漏电流，所以不需要加环极。 光电二极管的光谱响应定义为以等功率的不同单色辐射波长的光作用于光电二极管时，其响应程度或电流灵敏度与波长的关系称为其光谱响应。 (4)PN光电二极管的伏安特性 与硅光电池的伏安特性曲线图比较，有两点不同。 一是把硅光电池的伏安特性曲线图中Ⅰ、Ⅱ象限里的图线对于纵轴反转了一下，是以横轴的正向代表负电压，这样处理对于以后的电路设计很方便。 二是因为开路电压UOC一般都比外加的反向电压小很多，二者比较可略而不计，所以实用曲线常画为上图的形式。 (5)PN光电二极管的温度特性 (6)入射特性 由于入射窗口不同，造成光电灵敏度随入射方向而变化的特性。 聚光透镜：由于聚光位置与入射光位置有关，排除了杂散光的干扰，当入射光与入射光主轴重合时，灵敏度最大。 平板透镜：聚光作用差，易受杂散光的干扰，光易反射，极值灵敏度小。 7.频率特性： 光电二极管的等效电路： ω：入射光的调制圆频率，ω＝2πf，f为入射光的调制频率，τ = CfRL，IL的模量为 一般2DU硅光电二极管的结电容为3PF，响应时间为0.1us，带宽为2MHz。 要改变频率特性，就要改变时间常数。 (8) 噪声 2 PIN管 PIN管是光电二极管中的一种。是在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。 为了提高PN结硅光电二极管的时间响应，消除在PN结外光生载流子的扩散运动时间，常采用在P区与N区之间生成I型层，构成PIN结构光电二极管，PIN结构的光电二极管与PN结型的光电二极管在外形上没有区别。 PIN结的内电场就基本上全集中于I层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。 PIN光电二极管在反向电压作用下，耗尽区扩展到整个半导体，光生载流子只产生漂移电流，因此， 它的时间响应只取决于τdr 与τRC ，在10-9s左右。 由式τ = CfRL与f = 1/2πτ知，Cf小，τ则小，频带将变宽。因此，这种管子最大的特点是频带宽，可达10GHz。另一个特点是，因为I层很厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电压，线性输出范围宽。 由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。 所不足的是，I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。 目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。 3 雪崩光电二极管 PIN光电二极管提高了PN结光电二极管的时间响应，但未能提高器件的光电灵敏度，为了提高光电二极管的灵敏度，人们设计了雪崩光电二极管，利用雪崩效应，形成具有内增益的探测器，有助于微弱光信号的探测。雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。 这种管子工作电压很高，约100～200V，接近于反向击穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场中可得到极大的加速，同时与晶格碰撞而产生电离雪崩反应。因此，这种管子有很高的内增益，可达