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《模拟电子技术》习题集 填空题 半导体是一种导电能力介于 和 之间的物质。 半导体的导电类型分 型和 型半导体。 在判别硅、锗晶体二极管时，当测出正向电压为　　　时就认为此二极管为锗二极管；当测出正向电压为　　　时，就认为此二极管为硅二极管。 N型半导体主要依靠 载流子导电。 P型半导体主要依靠 载流子导电。 PN结加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。PN结加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。 PN结具有 性能，即加正向电压时ＰＮ结 ，加反向电压时ＰＮ结 。 当温度升高时，PN结的反向电流会　　　。 用万用表欧姆挡测量二极管好坏时，测量的正反向阻值间相差越 越好。 二极管按结构分类，可分为 、 、 三种。 硅稳压二极管是一种具有 作用的特殊二极管。 硅稳压二极管的动态电阻rz越 其稳压性能越好。 用硅稳压二级管组成稳压电路时，电路中稳压管必须与负载 联。 晶体三极管有 型和 型两种。 当温度上升时，晶体三极管的ICEO会 ，β值 ，ＵBE 。 三极管具有电流放大作用的外部条件必须使 结正向偏置， 结反向偏置。 晶体三极管的 区与 区由同一类型材料组成， 区掺杂最重， 区掺杂最轻。 当三极管饱和时，它的发射结必是 偏置，集电结必是 偏置。 硅三极管ICEO比锗管小得多，硅管的热稳定性比锗管要 。 NPN 型三极管各电极电位关系是VC＞VB＞VE，PNP型三极管各电极电位关系是VC＜VB＜VE ，该管工作于 状态。 晶体三极管三个极电流之间的关系式为IE＝ 。 晶体三极管输出特性中的三个区分别叫 区、 区和 区。 判断图1--10所示三极管的工作状态，其中也有损坏状态的可能。 在电路中测得各三极管对地电位如图1－11所示，判断三极管工作状态 在一个放大线路板内测得某只三极管三个极的静态电位分别为V1=6V，V2＝3V，V3=3.7V可以判断1脚为 极，2脚为 极，3脚为 极，此管为 型管，由 材料制成。 在一个放大线路板内测得某只三极管三个极对地电压分别为V1=－6.2V， V2＝－6V，V3=－9V，1脚为 极，2脚为 极，3脚为 极，此管为 型管，由 材料制成。 阻容耦合放大电路中，耦合电容的作用是 和 。 放大电路未加入信号时的工作状态称为 态。 放大电路未加入信号时晶体管各级的直流电压、电流的数值称电路的 工作点。 放大电路加上输入信号时的工作状态称为 态。 放大电路中直流成分通过的路径称为 通路。 放大电路中交流成分通过的路径称为 通路。 放大电路有三种连接方式，分别为 、 和 。 共射放大路，增大基极电阻Rb，IBQ ，Rc，其它参数不变，则负载线的斜率 。 共射电路，增大直流电源Vcc，其它参数不变，负载线将向 变化。 交流负载线与直流线都通过 点。 某电路的交流负载线与直流负载线重合，可知此电路的负载电阻RL= 。 由于晶体管特性曲线的非线性引起的失真称为 失真。 共射电路，Ｑ点过高易产生 失真。 共射电路，Ｑ点过低易产生 失真。 放大电路的输出电阻越小，带负载能力越 。 射极输出器的电压放大倍数Av≈ 。 射极输出器的输出电压与输入电压的相位相 。 射极输出器的输入电压 ri较 。 射极输出器的输出电阻ro较 。 射极输出器可用来作为多级放大器中的 级、 级和 级。 造成单级放大电路的放大倍数在高频段下降的原因是由于晶体管的PN结之间的 和电路的 影响。 放大电路的放大倍数 |Av| 与频率f的关系曲线称为 特性曲线。 放大倍数下降到中频区放大倍数AVM的0.707倍时，对应的高端频率称为 频率。 放大倍数下降到中频区放大倍数AVM的0.70