《电子技术基础》第四章 场效应管及其放大电路.pptVIP

第四章 场效应管放大电路 §4.1 绝缘栅型场效应管( Insulated Gate Field Effect Transister) 1. 结构和符号（以N沟道增强型为例） 2. 工作原理（以N沟道增强型为例） （1）栅源电压VGS的控制作用 （1）栅源电压VGS的控制作用 （2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 （2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 （2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 3. 特性曲线（以N沟道增强型为例） 输出特性曲线 4.其它类型MOS管 各种类型MOS管的特性曲线 各种类型MOS管的特性曲线 5. 场效应管的主要参数 场效应管的主要参数 场效应三极管的型号 几种常用的场效应三极管的主要参数见表 §4. 2 结型场效应管(Junction type Field Effect Transister) 2. 工作原理 工作原理 工作原理 工作原理 工作原理 3. 特性曲线 场效应管总结 双极型和场效应型三极管的比较 4.3 场效应管应用 场效应管应用 §4.4 场效应管放大电路 4.4.1 场效应管的小信号模型 场效应管的小信号模型 4.4.2 共源极放大电路 电路组成 直流分析（估算法） 交流分析 4.4.3 共漏极放大电路 交流分析 输出电阻 4.4.4 共栅极放大电路 例题1 共源 例题1解 例题2 多级放大电路 例题2解 作业 4.4.4 4.4.5 4.5.4 已知场效应管输出特性表达式： 求全微分: 漏极与源极间等效电阻 变化量 其中： 低频跨导, 可从输出曲线上求出 一般rds很大，可忽略，得简化小信号模型: 以NMOS增强型场效应管为例 三极管与场效应管三种组态对照表： 比较共源和共射放大电路，它们只是在偏置电路和受控源的类型上有所不同。只要将微变等效电路画出，就是一个解电路的问题了。 图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻，Rs是源极电阻，Rd是漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2，Re和Rc分别一一对应。而且只要结型场效应管栅源间PN结是反偏工作，无栅流，那么JFET和MOSFET的直流通道和交流通道是一样的。 直流通路 直流分析(估算法）： VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－ID(Rd+R) 解出VGS、ID和VDS。 微变等效电路 直流分析 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－IDR 由此可以解出VGS、ID和VDS。 与三极管共集电极电路对应 直流通路： Ro≈Rd 已知： gm=0.3mA/V IDSS=3mA VP=-2V 解：静态分析： VGS=-RID ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 代入参数得： 3ID2-7ID+3=0 IDQ=0.57mA ID=1.77mA（不合理，舍去） VGSQ=-1.14V VDSQ=VDD-ID(Rd+R)=8.31V +vi - C1 0.01u Q Rg 10M R 2K Rd 15K RL 18K C2 0.1u C3 10u VDD 18V +vo - 动态分析： Ri=Rg=10MΩ Ro=Rd=15KΩ * * 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 场效应管： 结型 N沟道 P沟道 MOS型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 绝缘栅型场效应管IGFET有称金属氧化物场效应管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于109?。 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道， 在VDS作用下无iD。 耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道， 在VDS作用下iD。 N沟道增强型MOSFET拓扑结构左右对称，是在一块浓度较低的P型硅上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极作为D和S,在绝缘层上镀一层金属铝并引出一个电极作为G D