五纳米材料在电子信息领域的应用.pptVIP

重点回顾 纳米材料的结构单元； 纳米粒子的主要性质； 纳米材料的主要制备方法； 电子材料与信息技术的关系: 纳米材料的电学特性； 纳米电子材料及其应用。 层压电容器 电容器： 手机、个人电脑、汽车等几乎所有内藏电路的日常生活用品使用的重要电路元件。 纳米技术使得进一步增大单位体积电容器的静电容量成为可能，满足了电子产品小型化、高容量化的需求。 5.2 材料的磁学性能与纳米磁性材料 5.2 材料的磁学性能与纳米磁性材料 5.2.1 材料的磁学性能 5.2.2 纳米磁性材料 物质的磁性来源：电子的运动、原子和电子内部的永久磁矩。 原子的磁矩主要由电子造成：轨道磁矩 + 自旋磁矩 依据磁化率，材料的磁性可分为： 抗磁性：磁化强度与外磁场方向相反 ； 顺磁性：在外加磁场下，每个原子磁矩作比较规则的取向，显示极弱的磁性； 反铁磁性：大小相等的相邻原子磁矩作反向排列的自发磁化现象，总磁矩为零）； 铁磁性：即使在较弱的磁场内也有极高的磁化强度，而且当外磁场移去后仍保留极强的磁性； 亚铁磁性：是反铁磁性的一种变体，只是两种反平行排列的磁矩大小不同。 纳米材料的磁特性 纳米材料的磁特性 一般纳米磁性材料的应用 速度、加速度、角度、转速传感器；高密度和超高密度磁记录读磁头；随机存储器MRAM；具有高密度和高保密特性的IC卡等 磁记录的一般原理 -----用什么材料记录磁信息？1、对磁记录介质材料的磁特性的主要要求： 适当高的矫顽力Hc （有效存储信息，抵抗干扰）； 高的饱和磁通密度Bs（减小自退磁效应） ； 陡直的磁滞回线 （提高分辨率）。 磁性纳米微粒由于粒径小，具有单磁畴结构，矫顽力很高，用作磁记录材料可以提高信噪比，改善图像质量。 随着纳米科技的快速发展，不论是何种磁记录材料，其颗粒尺寸或薄膜厚度都逐渐进入纳米尺寸范围，其单位比特每平方微米的记录位面积随年代而迅速减小。而发展新的磁记录材料也将是一个重要的磁学问题。 2、对磁头材料的主要要求： 1）写入磁头: 一般采用电磁感应式磁头，需要高饱和磁化强度、高磁化率和使用频率、低矫顽力和高居里温度以及力学性能优良的软磁材料。 目前使用： ①铁氧体磁头材料。特点是电阻率很高，可用于块体型磁头； ②金属磁头材料。特点是力学强度高、磁导率μ高和饱和磁通密度Bs高 ； ③非晶磁头材料。特点是电阻率较一般金属磁头材料高，无磁晶各向异性，也无晶粒间界，磁均匀性好，且不同化学成分的非晶磁头材料还各具磁性上的特点。 2）读出磁头： 当前采用电磁感应式磁头或磁电阻磁头，电磁感应式磁头的灵敏度不足已成为主要困难。 正在开发中的磁电阻磁头：磁性隧道结磁电阻（灵敏度高）。磁头需要采用磁电阻、特别是巨磁电阻材料。 1988年，法国巴黎大学的肯特教授研究组首先在Fe/Cr多层膜中发现了巨磁电阻效应，这在国际上引起了很大的反响。 90年代，在Fe/Cu、Fe/Al、Fe/Au、Co/Cu、Co/Ag和Co/Au等纳米结构的多层膜中观察到了显著的巨磁阻效应。由于在高密度读出磁头、磁存储元件上有广泛的应用前景，美国、日本和西欧都对发展巨磁阻多层膜材料及其应用投入很大的力量。 1992年，美国报道了CoAg、CoCu颗粒膜中存在巨磁电阻效应。颗粒膜是采用双靶共溅射的方法在Ag或Cu非磁薄膜基体上镶嵌纳米级铁磁性Co颗粒，具有各向同性的特点。颗粒膜中的巨磁电阻效应目前以CoAg体系为最高。颗粒膜制备工艺比较简单，成本较低，但饱和磁场较高，降低颗粒膜磁电阻饱和磁场是研究的主要目标。 在Fe-Ni-Ag颗粒膜中发现最小的磁电阻饱和磁场约为32kA·m-1，这个指标已和具有实用化的多层膜比较接近，从而为颗粒膜在低磁场中应用展现了一线曙光。 我国科技工作者在颗粒膜巨磁阻研究方面取得了进展，在颗粒膜的研究中发现了磁电阻与磁场线性质甚佳的配方与热处理条件，为发展新型的磁敏感元件提供了实验上的依据。 1994年，IBM公司研制成巨磁电阻效应的读出磁头，将磁盘记录密度一下子提高了17倍，达5 Gbit·in-2。 1998年，美国明尼苏达大学和普林斯顿大学制备成功了量子磁盘，密度达11Gbit·in-2，从而在与光盘竞争中磁盘重新处于领先地位。 磁性液体在电子信息领域的典型应用 (1) 旋转轴动态密封 ； (2) 扬声器 ； (3) 阻尼器件 ； (4) 开关 ； (5) 传感器 巨磁电阻(GMR)：是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高1-2个数量级。 巨磁电阻的实际应用 微弱磁场探测器。以巨磁电阻效应为基础设计纳米结构的超微磁场传感器，能探测10-2～10-6T的磁通密度。如此低的磁通密度在