利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN.PDFVIP

第 22 卷第 6 期 半 　导 　体 　光 　电 Vol. 22 No. 6 2001 年 12 月 Semiconductor Optoelectronics Dec. 2001 ( ) 文章编号 :1001 - 5868 2001 06 - 0428 - 05 利用三步法 MOCVD 生长器件质量的 GaN 刘宝林 (厦门大学 物理系 ,福建 厦门 361005) 摘　要 : 　在传统的二步 MOCVD 外延生长的基础上 ,报道了一种在低压 MOCVD 中用三步 外延生长 GaN 材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的 AlN 层 来减少 Al O 与 GaN 缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量 ,从而提高外延层 GaN 的质量 ,达到