蔡氏电路中混沌现象的观察研究蔡氏电路中混沌现象的观察研究.pdfVIP

2.6.3 蔡氏电路中混沌现象的观察研究 混沌是自然界客观存在的一种现象，而混沌电路是至今为止最方便有效的一种实验观 察手段。由于混沌现象对电路参数的极度敏感性，用一般电路实验手段来观察，其参数调节 比较困难，相比之下在Multisim 环境下进行仿真观察是非常容易实现的。 用来实现混沌现象的混沌电路很多，其中以著名的美藉华裔学者蔡少棠1984 年提出的 一种三阶非线性自治电路（称之蔡氏电路）最为典型。该电路具有电路结构简单，混沌现象 丰富等特点，因而得到了广泛的学术研究和工程应用。蔡氏电路的理论模型如图2-70 所示。 R C C C 2 1 L R 17.4mH 100nF 10nF 图2-70 蔡氏电路的理论模型 图中，C 、C 为两个线性电容，L 为线性电感，R 为线性电阻，而R 则为一非线性电 1 2 C 阻（R 习惯被称之为蔡氏二极管，Chua’s diode ），具有图2-71 所示的压控特性，R 可由五段 分段线性的线性电阻构成。 UR 图2-71 蔡氏电路非线性电阻的特性 实现该非线性电阻R 的方案也很多，典型的电路之一如图2-72 所示，由双运放与6 只 线性电阻构成。 IR R3 22kΩ R6 220Ω A1 A1 LM224 LM224 UR R2 22kΩ R5 220Ω R R 1 4 3.3kΩ 2.2kΩ 图2-72 由双运放构成的蔡氏二极管 将图2-70 所示电路中的RC 分成两电阻串联，即R R +R ，其中R = 1kΩ，R 是1kΩ c 1 2 2 1 的可调电位器。 我们就可以在基于上述参数的蔡氏电路上，通过 Multisim 的仿真，清楚的观察到倍周 期分岔、阵发混沌以及奇怪吸引子等一系列混沌所特有的现象。 1．编辑原理图 首先编辑非线性电阻R 构成电路，如图2-73 (a)所示。在这个图中取用两个输入接线端， 是为了把该电路设置成如图2-73 (b)所示的R 子电路。 (a) (b)