2013新能源发电技术2_太阳能光伏发电技术3.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.2.5异质结太阳能电池(3) 突变异质结的电特性 内建电动势和势垒宽度 通过泊松方程推导UD和势垒宽度 结电容 通过微分电容定义C=dQ/dU 2.2.5异质结太阳能电池(4) 突变异质结的电特性 异质结的正反向伏安特性 扩散模型 发射模型 发射－复合模型 隧道－复合模型 隧道模型 2.2.5异质结太阳能电池(5) 异质结太阳能电池的构造和工作原理 P型基片，N型顶区层，顶区层栅状金属电极，地面金属电极 异质结光生伏达效应 内建电动势?由N指向P, 有光照时，光生电压与?方向相反 2.2.5异质结太阳能电池(6) 光电流 JL(?)= J1(?)+ J1(?)+ J2(?)+ J2(?) 中性区和耗尽区的电流密度 一般认为，磷化镓－硅，硫化锌－硅，硒化锌－砷化镓，砷化铝－砷化镓，砷化铝镓－砷化镓可以作成良好的太阳能电池 2.2.5异质结太阳能电池(7) 光电压 最大开路电压与能带结构有关 最大开路电压小于内建电动势UD 2.2.5异质结太阳能电池(8) 异质结太阳能电池的效率 与同质结太阳能电池分析方法相同 与禁带宽度小的材料做成的同质结太阳能电池效率相当 异质结太阳能电池优点 禁带宽度大，避免死层 减少表面薄层电阻,串连电阻不发生高掺杂效应 用多种材料禁带宽度调节光谱相应范围 2.2.5异质结太阳能电池(9) 异质结太阳能电池的效率 影响效率的因素还有 表面反射 界面反射 暗电流 暗电流 同质结电池：扩散电流（注入电流）复合电流隧道电流 异质结电池：隧道电流复合电流扩散电流（注入电流） 2.3太阳能电池制造工艺 硅材料来源 优质石英砂，也称硅砂，以大量的硅酸盐矿和石英矿存在于自然界中 硅砂（焦炭电炉）硅铁(冶金铁,含硅97%-99%) 盐酸 三氯氢硅?(CH4硅烷) 还原＋氢气 多晶硅 硅在地壳中的含量为27.7%，在所有的元素中居第二位，地壳中含量最多的元素氧和硅结合形成的二氧化硅SiO2，占地壳总质量的87%。 由于硅易于与氧结合，自然界中没有游离态的硅存在 硅有晶态和无定形两种同素异形体。 2.3.1 硅材料制备(1) 硅材料来源 晶态硅分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。晶态硅的熔点1410C,沸点2355C,密度2.32~2.34g/cm3，莫氏硬度为7。 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅不如单晶硅。 2.3.1 硅材料制备(2) 硅材料来源 硅元素 2.3.1 硅材料制备(3) 2.3.1 硅材料制备(4) 多晶硅锭制造 杜邦法：SiCl4锌还原法 三氯氢硅法（西门子法） 制作三氯氢硅(TCS) 分馏TCS达到PPb级超纯 化学气相沉积法还原成多晶硅 硅烷法 成本和质量都比三氯氢硅法高 2.3.1 硅材料制备(5) 多晶硅锭制造 多晶硅基片（铸造型、硅带型）的生产 铸造法 硅带法或膜片法 铸锭多晶硅制备 加工费用降低 2.3.1 硅材料制备(6) 单晶硅锭的制造 切可劳斯基法 把籽晶引向熔融的硅液，然后旋转提拉，粒大的单晶硅棒按照籽晶生长 熔化硅前掺杂 可以拉制直径大于6英寸，重达百千克的大型单晶硅 区熔法 高频线圈环绕单晶硅棒加热，局部熔化，反复提纯 也称浮区熔法，是目前制造高效和超高效单晶硅太阳能电池唯一方法 2.3.1 硅材料制备(7) 片状硅制造 减少了切割损失 定边喂膜法、硅筒法等，未大规模工业化生产 2.3.1 硅材料制备(8) 非晶或微晶硅膜制造 热化学气相沉积法 硅烷热分解得到非晶硅膜 辉光放电法 硅烷在高压交流或直流辉光放电条件下分离 目前的非晶硅电池多利用此法 2.3.1 硅材料制备(9) 非晶或微晶硅膜制造 光化学气相沉积法 用激光束或微波束切割硅氢键制作非晶硅膜 溅射法 在低压气体中射频或直流放电，通过高能电离粒子撞击硅，使部分硅原子脱落 电子束蒸发法 用高能电子束照射硅，局部熔化、蒸发形成非晶硅 前三种属于化学气相沉积法，后两种属于物理气相沉积法 2.3.1 硅材料制备(10) 太阳级硅 每吨单晶硅制造0.3-0.4MW太阳能电池 一般认为效率为10%的太阳能电池的廉价硅材料称为太阳级硅 用于制造集成电路的硅称“电路级硅” 不同的杂质的掺杂浓度对太阳能