等离子体与PECVD工艺介绍.pptVIP

等离子体与PECVD工艺介绍;1，等离子体概念、应用与辉光放电 2，PECVD的原理，类型 3，PECVD在Solar Cell的应用 4，PECVD的参数控制 5，等离子体在Solar cell的其它应用;1.1，等离子体概述;1.1.1，物质的几种状态;1.1.2，电离气体是一种常见的等离子体;1.1.3，等离子体参数空间;1.1.4，等离子体分类;1.2，等离子体的应用;术语“辉光放电”是指发光由等离子体产生，高能态电子返回基态时以可见光辐射的形式释放能量。 等离子体能代替高温，裂解分子并发生化学反应，也可用于产生和加速离子。在辉光放电过程中可能出现以下过程：;1.4，几种简单的等离子反应室;但是在许多情况下，一个或多个电极上的材料是绝缘的，如硅靶、电极上的硅片。当离子轰击硅片表面时，发射二次电子，使这些层充满电荷。电荷积聚在表面，使电场减少，直到等离子体最终消失。为了解决这个问题，等离子体可以用交流信号来驱动，电源在射频范围内，一般为13.56MHz。;在一个简单得电容性放电等离子体中，离子和基团得比例很小，很多年来，这种系统一般运行在13.56MHz下。各种技术被开发用来产生高浓度等离子体：;电极;2，PECVD的原理，类型;2.1，PECVD原理介绍;PECVD允许衬底在较低温度(一般300～450℃)下生长介质薄膜。在许多应用中，需要在非常低的衬底温度下淀积薄膜。在铝上淀积SiO2和在GaAs上淀积Si3N4保护层是两个常见的实例。 与热反应相比（一般800～1000℃ ），它有以下优点：能淀积速率高；容易获得比较均匀的组分；通过改变气流比可以使薄膜组分连续变化（如可以容易控制Solar Cell ARC的Si:N，可以使薄膜组分由氧化物连续变化到氮化物）。;冷壁平行板：产能较低，一定程度均匀性的问题，很适用于GaAs技术。后来改善了产能，均匀性提高到接近1％。;PECVD的基本结构：ECR，高密度等离子结构。;1，等离子体类型：Direct等离子体和Romote等离子体 2，等离子激发频率：低频、射频、微波 3，反应室：管式与平板式 4，传输类型：batch方式和inline方式;等离子体产生于两平行电极之间，同时晶圆被固定在一个电极上，晶圆作为电极的一部分。在这种情况下，晶圆一般处于等离子体中。典型代表：Centrotherm，岛津。;Heater;晶圆不作为电极的一部分，同时晶圆处于等离子体以外。典型代表：RothRau.;;2.3.3，按激发频率分类;3，PECVD在Solar Cell生长中的应用;3.1，减反射作用;ARC厚度：;对于n0﹤n1 ﹤ns，最终的反射率为：;热生长氮化硅颜色图，n＝1.97;电池吸收光波长范围：300－1150nm，所以要求SiNx:H禁带宽度要大于4eV。 透射率 公式：T(λ)＝1－R(λ)－A(λ)， R(λ)为反射率和A(λ)为吸收率。 SiNx:H的折射率1.9时，带宽5.3eV，当提高薄膜中Si含量，折射率提高，带宽降低，吸收也越多，最小带宽1.8eV。;3.14，几种参数组合的反射率比较（RothRau);3.2，表面钝化;3.3，体钝化;3.4，FTIR测量H含量，钝化效果的评估（RR资料）;3.5，烧结前后的IQE比较（RothRau资料）;4，工艺过程的参数控制（与RothRau为例);4.1，沉积温度;4.2，沉积压强;4.3，气体流量;4.4，微波功率;4.4，微波功率的脉冲频率：ton，toff;4.4，不同微波功率和ton、toff的等离子分布和沉积速率;4.5，传输速率;4.6，工艺参数的总结;5，等离子体在solar cell的其他引用;5.1，湿法刻蚀与干法刻蚀;5.2，等离子刻蚀的一般步骤;5.3，反应离子刻蚀（离子辅助刻蚀）在太阳能电池的应用;5.4，应用实例（ RothRau）;5.4.1，氧气含量是最重要的参数， SF6/O2;5.4.2，刻蚀速率??反射率的均匀性;刻蚀时间与反射率，从saw damage晶片开始;质构化的表面形貌;反射率比较：质构化的反射率降低约20％;有效表面复合速率与O2含量的关系;有效寿命和反应室温度，刻蚀时间的关系;Jsc提高：反射率降低，提高光耦合。 Voc降低：表面损伤、钝化差、发射极的分布？;600nm以下，量子效应低，是由于表面损伤，发射极被扰乱； 800nm以上，量子效应高，是由于提高光陷技术，有效光程增大。;5.5，京瓷太阳能电池板“d.blue”。;5.5，京瓷多晶硅太阳能电池板“d.blue”。效率17.7％;Thank you for your attention!