ChipRLC制程与不良品分析流程本.pptVIP

* AMBIT Microsystems Corporation Chip R/C 製程與原材不良分析流程 Prepared by: Hao-Yung(Josh) Chao Outline Chip Capacitor構造與製造流程 Chip Resistor構造與製造流程 信賴性測試項目 PCB Pad 設計 vs.鋼版開孔設計 Chip R/C不良原因分析魚骨圖 Chip R/C爬錫不良模式定義 Chip R/C不良來源及改善方法 Chip R/C原材不良分析流程 Conclusion 電鍍流程簡介 Chip Capacitor構造 D C1 C2 C3 C4 A Capacitance Equation : (F/m) 介電材料於外加電壓後,晶格內正電荷和負電荷背離移動,造成電雙極現象. cubic Deform 每一層電極交錯長度誤差不可大於10 Microns. 陶瓷基板為介電材料加上少許稀土元素 Example: BaTiO3 + RuO2(藍色) 內部電極可分為兩系列: 貴重金屬: Ag/Pd Base Metal: Ni 外部電極 I 為Ag 或 Cu. 如果外部電極為Cu,則不可在空氣下燒結,因 Cu在空氣環境中加熱易氧化產生CuO,故須 於大氣壓10-6~10-7 Torr間生產. Chip Capacitor材料及結構 5 micros 20~30 micros 精密陶瓷的製造流程係先將介電材料粉體與黏結劑、 分散劑、塑化劑等有機物攙配成漿料後，藉黏結劑作 用使粉體能聚集在一起，而形成有足夠強度的生胚薄 片，後續再經刮刀成型、燒結及品檢等製程後，即為 精密陶瓷基板，成為被動電子元件的主要基材。 Chip Capacitor製造流程 陶瓷基板成型流程: Chip Capacitor製造流程 製粉調漿 Milling 測試包裝 Testing Taping 端電極沾附 Termination 燒結 Sintering 切割 Cutting 印刷疊層壓合 Printing Stacking lamination 薄帶成型 Tape casting Chip Resistor 構造 Structure 1.Ceramic substrate (Al2O3) 0.3 mm 2.Top termination (Ag-Pd) 11 ?m 3.Bottom termination(Ag-Pd or Ag) 11 ?m 4.Resistive layer (RuO2) 11 ?m 5.Glass layer (SiO2) 11 ?m 6.Trimming cut 7.Protective layer (epoxy) 25 ?m 8.End termination (Ag-Pd or Ag or Ni-Cr) 0.05~0.2 ?m 9. Diffusion barrier (Ni) 8 ?m 10.Solder plating(Sn) 8 ?m 網印Resistive layer的厚度及精準度為25+/-4um. Chip resistor 製造流程 RAW Materials IQC Primary Electrode Printing Drying Resistor Body Printing In-process Inspection Laser Trimming In-process Inspection Over coating Printing In-process Inspection Drying Drying Marking Drying Firing In-process Inspection Drying Firing In-process Inspection “B” Break In-process Inspection Electrode Ni-Plating Sputtering Electrode Tin-Plating In-proce